[发明专利]标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及使用对质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷，由质子性溶剂溶液中存在的标准电极电位大于0V的元素的离子制造该元素的粒子的方法。

本申请基于2012年10月24日在日本申请的特愿2012-234989号和2013年1月28日在日本申请的特愿2013-013232号主张优先权，将其内容援引于此。

背景技术

聚硅烷的构成主链的Si-Si键的σ电子像碳共轭体系的π电子那样，在主链骨架整体是离域的。因为该特征，所以聚硅烷作为导电性材料、光半导体而备受期待。而且近年来，聚(甲基苯基硅烷)等可溶于溶剂的聚硅烷也被用作过渡金属的载体。例如，专利文献1中记载了，利用将聚硅烷和过渡金属化合物溶解或者悬浮在聚硅烷的良溶剂中，在还原剂的存在下或者非存在下混合后，缓缓加入相对于聚硅烷的贫溶剂使其相分离的方法，能够制造具有高的催化活性、操作·回收·再使用容易的聚硅烷担载过渡金属。然而，二甲基聚硅烷、二苯基聚硅烷在绝大多数的溶剂中不溶，并且也不熔解(例如，参照非专利文献1)。因此，难以操作，几乎不利用。

另一方面，以往，作为由金属离子得到金属粒子的方法，已知将金属盐溶液电解而得到金属粒子的方法、向金属盐溶液添加还原剂而得到金属粒子的方法。使用还原剂的方法中，一般需要使用非质子性溶剂。这是因为还原剂和质子性溶剂非常富于反应性，因此使用质子性溶剂时存在不但金属无法还原，而且还原剂被分解等问题。

专利文献2中公开了使用作为质子性溶剂的水而得到金属粒子的方法。该方法是如下方法：使用利用亲水性聚合物和聚硅烷的嵌段共聚物得到的胶束，即，使用在里面具有聚硅烷、交联有壳部的亲水性胶束作为还原剂，将水性介质中的金属离子还原，制造金属的纳米单分散粒子的方法。该亲水性胶束与质子性溶剂反应而显示水溶性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2007-260659号公报

专利文献2:日本特开2006-307084号公报

非专利文献

非专利文献1:坂本健吉著，樱井英树监修，“有机硅聚合物的开发”，1989年，CMC出版，第17页。

发明内容

本发明的目的在于，提供由质子性溶剂溶液中的标准电极电位大于0V的元素的离子非常简便地制造该元素的粒子的方法。

本发明如下。

(1)一种标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其特征在于，将含有至少1种的标准电极电位大于0V的元素的离子和质子性溶剂的质子性溶剂溶液与对上述质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷混合，由上述标准电极电位大于0V的元素的离子制造该元素的粒子。

(2)根据上述(1)记载的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，上述元素的标准电极电位为0.2V以上。

(3)根据上述(2)记载的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，上述元素为选自金、汞、银、铑、钯、碘、铂、锗、硫、钌、锇、铱、铼、铜、碲、铅、砷以及铋中的至少1种。

(4)根据上述(3)记载的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，上述元素为选自金、汞、银、铑、碘、铂、锗、硫、钌以及铋中的至少1种，进一步包含对吸附于上述聚硅烷的上述元素的粒子进行回收的工序。

(5)根据上述(4)记载的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，进一步包含对吸附于上述聚硅烷的上述元素的粒子进行燃烧处理，得到除去了上述聚硅烷的粒子的工序。

(6)根据上述(1)～(5)中任一项记载的标准电极电位大于0V的元素的粒子的制造方法，其中，上述质子性溶剂溶液进一步含有至少1种的标准电极电位为0V以下的元素的离子。

(7)一种标准电极电位大于0V的元素的粒子与聚硅烷的复合体，其特征在于，至少1种的标准电极电位大于0V的元素(其中，上述聚硅烷为二甲基聚硅烷时，上述元素不包括钯)的粒子吸附于对质子性溶剂具有难溶性的聚硅烷。

(8)根据上述(7)记载的标准电极电位大于0V的元素的粒子与聚硅烷的复合体，其中，上述元素为选自金，汞、银、铑、钯、碘、铂、锗、硫、钌、锇、铱、铼、铜、碲、铅、砷以及铋中的至少1种。