[发明专利]基板定向腔室无效
申请号: | 201380054551.X | 申请日: | 2013-10-07 |
公开(公告)号: | CN104737269A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 北村伸;青木裕司 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定向 | ||
1.一种定向腔室,包括:
包围内部空间的壳体;
可旋转台座,位于所述壳体内部,所述可旋转台座包括基板支撑表面,所述基板支撑表面适以支撑基板;
光源,位于所述台座上方,当基板被载至所述可旋转台座上时,定位所述光源以提供照明光至所述基板的外周,其中来自所述光源的所述照明光从垂直线倾斜一角度朝向所述基板的中心,所述垂直线垂直于所述基板支撑表面延伸;
光接收单元,具有光接收表面,所述光接收表面上设置多个光接收元件,所述多个光接收元件接收来自所述光源的所述照明光;和
分析单元,所述分析单元分析由所述光接收元件接收的所述照明光。
2.如权利要求1所述的定向腔室,其中所述光接收单元接收被基板的外周散射的光并接收通过所述基板外部的光,所述基板被支撑并旋转于所述台座上。
3.如权利要求2所述的定向腔室,其中所述光接收单元构造为将所述接收的散射光识别为阴影区。
4.如权利要求3所述的定向腔室,其中所述基板在所述台座上最少旋转一周,使得所述基板的偏心度在所述光接收单元上表现为所述阴影区的位置变化。
5.如权利要求4所述的定向腔室,其中所述位置变化被发送至所述分析单元,以分析所述基板在所述台座上的位置。
6.如权利要求1至5中任一项所述的定向腔室,其中所述角度为约55°至约75°。
7.如权利要求1至5中任一项所述的定向腔室,其中所述光源为激光。
8.如权利要求7所述的定向腔室,其中所述激光具有约650纳米的波长。
9.如权利要求1至5中任一项所述的定向腔室,其中所述光接收元件为电荷耦合装置。
10.如权利要求1至5中任一项所述的定向腔室,其中所述光接收表面被设置为与所述照明光形成90°角。
11.如权利要求1至5中任一项所述的定向腔室,进一步包括:
反射构件,位于所述壳体内部,并且被定位来将所述照明光反射至所述光接收单元的所述光接收表面上。
12.如权利要求11所述的定向腔室,其中所述光接收单元被水平地设置。
13.如权利要求11所述的定向腔室,其中所述壳体的内部由金属所形成。
14.如权利要求13所述的定向腔室,其中所述反射构件由与用于所述壳体内部相同的金属所形成。
15.一种用于定向腔室的方法,包括以下步骤:
将基板支撑于基板支撑表面上;
提供从垂直线以一介于约55°和约75°的角度倾斜的照明光至所述基板的外周;
旋转上面支撑所述基板的所述基板支撑至少一周;
在光接收单元的光接收表面上接收被所述基板的所述外周散射的光;
将所述接收的散射光识别为阴影区;
发送所述阴影区的位置变化至分析单元;
分析所述阴影区的所述位置变化;和
基于所述阴影区的所述位置变化测定所述基板的方向和偏心度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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