[发明专利]气体阻隔性膜的制造方法、气体阻隔性膜和电子设备

权利要求书

1.一种气体阻隔性膜的制造方法，该气体阻隔性膜在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层，在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上具有导电层，所述制造方法的特征在于，

使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气，利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法，在所述树脂基材的一个面上形成所述气体阻隔层，在所述树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上形成导电层，所述导电层的23℃、50％RH的环境下的表面电阻率值在1×10³～1×10¹⁰Ω/□的范围内。

2.根据权利要求1所述的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，所述气体阻隔层以满足下述(1)～(4)的全部条件形成，

(1)气体阻隔层的碳原子比率，在膜厚方向，在从所述气体阻隔层的表面到层厚的89％为止的距离范围内，与距所述表面的距离对应地连续变化，

(2)气体阻隔层的碳原子比率的最大值，在膜厚方向，在从所述气体阻隔层的表面到层厚的89％为止的距离范围内小于20at％，

(3)气体阻隔层的碳原子比率，在膜厚方向，在距所述气体阻隔层的表面为层厚的90～95％的距离范围内、即在距与树脂基材邻接的面为层厚的5～10％的范围内连续增加，

(4)气体阻隔层的碳原子比率的最大值，在膜厚方向，在距所述气体阻隔层的表面为层厚的90～95％的距离范围内、即在距与树脂基材邻接的面为层厚的5～10％的范围内为20at％以上。

3.根据权利要求1或2所述的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，所述导电层含有树脂和金属氧化物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，在所述气体阻隔层上涂布含有聚硅氮烷的溶液并干燥，对形成的涂膜照射波长200nm以下的真空紫外光来实施改性处理，形成第2气体阻隔层。

5.一种气体阻隔性膜，在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层，在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上具有导电层，其特征在于，

在所述树脂基材的一个面上具有所述气体阻隔层，所述气体阻隔层是使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气，利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法而形成的，在所述树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上具有导电层，所述导电层的23℃、50％RH的环境下的表面电阻率值在1×10³～1×10¹⁰Ω/□的范围内。

6.根据权利要求5所述的气体阻隔性膜，其特征在于，满足下述(1)～(4)的全部条件:

(1)所述气体阻隔层的碳原子比率，在膜厚方向，在从所述气体阻隔层的表面到层厚的89％为止的距离范围内，与距所述表面的距离对应地连续变化，

(2)气体阻隔层的碳原子比率的最大值，在膜厚方向，在从所述气体阻隔层的表面到层厚的89％为止的距离范围内小于20at％，

(3)气体阻隔层的碳原子比率，在膜厚方向，在距所述气体阻隔层的表面为层厚的90～95％的距离范围内、即在距与树脂基材邻接的面为层厚的5～10％的范围内连续增加，

(4)气体阻隔层的碳原子比率的最大值，在膜厚方向，在距所述气体阻隔层的表面为层厚的90～95％的距离范围内、即在距与树脂基材邻接的面为层厚的5～10％的范围内为20at％以上。

7.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求5或6所述的气体阻隔性膜。