[发明专利]气体阻隔性膜的制造方法、气体阻隔性膜和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及气体阻隔性膜及其制造方法以及使用其的电子设备，更详细而言，主要涉及有机电致发光(以下，简记为“有机EL”)元件等电子设备中使用的气体阻隔性膜及其制造方法，使用该气体阻隔性膜的电子设备。

背景技术

以往，在塑料基板、膜的表面层叠包含氧化铝、氧化镁、氧化硅等金属氧化物的薄膜的多个层而形成的气体阻隔性膜，被广泛用于需要阻挡水蒸汽、氧等各种气体的物品的包装，例如用于防止食品、工业用品以及医药品等变质的包装用途。

除了包装用途以外，迫切期望在具有挠性的太阳能电池元件、有机电致发光(EL)元件、液晶显示元件等挠性电子设备中展开，进行了大量研究。但是，因为在这些挠性电子设备中要求玻璃基材等级的非常高的气体阻隔性，所以现状是尚未得到具有充分的性能的气体阻隔性膜。

作为形成这样的气体阻隔性膜的方法，已知有:使用四乙氧基硅烷(以下，简记为TEOS)所代表的有机硅化合物，一边在减压下用氧等离子体进行氧化一边在基板上成膜的化学沉积法(等离子体CVD法:Chemical Vapor Deposition)；使用半导体激光使金属Si蒸发并在氧的存在下沉积在基板上的物理沉积法(真空蒸镀法、溅射法)等的气相法。

专利文献1中公开了使用该文献的图1中记载的等离子体CVD装置，通过辊对辊方式制成1×10^-4g/m²·day等级的气体阻隔性层叠膜的制造方法。用专利文献1中记载的方法制造的气体阻隔性膜，通过应用能够将碳原子大量配置于基材周边的等离子体CVD法，从而提高与基材的密合性和弯曲性，但发现在室外使用那样的高温高湿的苛刻的使用环境下，作为在以有机EL元件为首的电子设备用途中的气体阻隔性、密合性、弯曲性并不充分。

另一方面，专利文献2中公开了应用了在生产率、成本方面具备优越特性的涂布方式的具有气体阻隔层的气体阻隔性膜的制造方法。专利文献2中记载的方法是如下方法:对使用聚硅氮烷作为无机前体化合物并进行涂布、干燥而形成的涂膜，照射真空紫外光(以下，也称为“VUV光”)，形成气体阻隔层。另外，专利文献3中公开了出于赋予抗静电功能的目的，在与设有气体阻隔层的面的相反一面设有导电层的气体阻隔性膜。然而，专利文献2和3中记载的方法并未提及与等离子体CVD法的组合和由此得到的效果等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2012/046767号

专利文献2:日本特开2011-143577号公报

专利文献3:日本特开2005-305801号公报

发明内容

本发明是鉴于上述问题而进行的，其解决课题是提供具有在像室外那样的高温和高湿的使用环境下也具有电子设备用途所需的气体阻隔性、且挠性(弯曲性)和密合性优异的气体阻隔性膜及其制造方法，和使用其的电子设备。

本发明人等为了解决上述课题，对上述问题的原因等进行了深入研究，结果发现利用如下的气体阻隔性膜的制造方法，能够实现即便在室外那样的高温高湿环境下使用也可维持作为电子设备用途所需的气体阻隔性且挠性(弯曲性)和密合性优异的气体阻隔性膜的制造方法，从而完成了本发明，所述气体阻隔性膜的制造方法的特征在于，应用在施加了磁场的辊间形成放电等离子体空间的放电等离子体化学气相生长法，使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气作为成膜气体，在树脂基材上形成含有碳原子、硅原子和氧原子作为构成元素的气体阻隔层，在上述树脂基材的与形成了气体阻隔层的面相反一面形成在23℃、50％RH下具有特定表面电阻率值的导电层。

即，本发明的上述课题通过以下方式解决。

1.一种气体阻隔性膜的制造方法，是在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层，在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上具有导电层的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，

使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气，利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法，在上述树脂基材的一个面上形成上述气体阻隔层，在上述树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反一侧的面上形成23℃、50％RH的环境下的表面电阻率值在1×10³～1×10¹⁰Ω/□的范围内的导电层。

2.根据第1项所述的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，上述气体阻隔层以满足下述(1)～(4)的全部条件形成。