[发明专利]半导体器件用接合线及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件用接合线，所述接合线包括：

芯材料，所述芯材料具有作为主要组分的第一金属；

第一涂层，所述第一涂层形成在所述芯材料的表面上，并且具有作为主要组分的第二金属，所述第二金属的组分和组成与所述第一金属的组分和组成不同；和

第二涂层，所述第二涂层包围所述芯材料和所述第一涂层，并且具有作为主要组分的第三金属，所述第三金属的组分和组成与所述第二金属的组分和组成不同，

其中所述第一金属是Cu、Ag或它们的合金，

所述第二金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，

所述第三金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，并且

所述第二涂层的表面具有约1nm至约6nm的粗糙度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件用接合线，其中所述第一涂层和所述第二涂层的组合的厚度为约30nm至约100nm。

3.根据权利要求2所述的半导体器件用接合线，其中所述第一涂层的厚度为约25nm至约85nm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件用接合线，其中所述第一涂层和所述第二涂层的组合的横截面积为所述接合线的横截面积的约0.597％至约1.97％。

5.根据权利要求1所述的半导体器件用接合线，其中所述第一涂层和所述第二涂层的组合的横截面积为所述接合线的横截面积的约0.993％至约1.97％。

6.根据权利要求1所述的半导体器件用接合线，其中所述第一涂层和所述第二涂层的组合的横截面积为所述接合线的横截面积的约1.189％至约1.581％。

7.一种半导体器件用接合线，所述接合线包括：

芯材料，所述芯材料具有作为主要组分的第一金属；和

涂层，所述涂层形成在所述芯材料的表面上，并且具有作为主要组分的第二金属，所述第二金属的组分和组成与所述第一金属的组分和组成不同，

其中所述第一金属是Cu、Ag或它们的合金，

所述第二金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，并且

所述涂层的表面具有约1nm至约6nm的粗糙度。

8.一种半导体器件用接合线的制造方法，所述制造方法包括：

在具有第一金属作为主要组分的芯材料上形成具有第二金属作为主要组分的第一涂层；

对在其上形成了所述第一涂层的所述芯材料进行拉线；以及

在所述拉线之后在所述芯材料和所述第一涂层上形成具有第三金属作为主要组分的第二涂层，

其中所述第一金属是Cu、Ag或它们的合金，

所述第二金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金，并且

所述第三金属是Au、Ag、Pt、Pd或它们的合金。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中所述第一金属与所述第二金属不同。

10.根据权利要求8所述的制造方法，所述制造方法还包括在所述第二涂层的形成之后的拉线，

其中在所述第二涂层的形成之后的所述拉线进行不多于两次。

11.根据权利要求8所述的制造方法，其中在所述第二涂层的形成之后不进行拉线。

12.根据权利要求8所述的制造方法，所述制造方法还包括在所述第二涂层的形成之后将所述第二涂层的表面粗糙化。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中所述第二涂层的表面的所述粗糙化包括等离子体处理所述第二涂层。

14.根据权利要求12所述的制造方法，其中所述第二涂层的表面具有约1nm至约6nm的粗糙度。