[发明专利]突波吸收器及其制造方法在审
申请号: | 201380058569.7 | 申请日: | 2013-11-11 |
公开(公告)号: | CN104769793A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 丁钟一;姜斗园;安奎镇;陈相准;金炫昌;李京美;田东昊;康东镇 | 申请(专利权)人: | 斯玛特电子公司 |
主分类号: | H01T4/12 | 分类号: | H01T4/12;H01T21/00 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人: | 宋菲;刘云贵 |
地址: | 韩国蔚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 吸收 及其 制造 方法 | ||
1.一种突波吸收器,包括:
陶瓷管,内部填充有惰性气体;
一对密封电极,设置于该陶瓷管两端;
突波吸收单元,设置于该陶瓷管中,电性连接至该密封电极,且形成有放电间隙;以及
焊接环,用于密封该陶瓷管与该密封电极之间,
其中通过熔化该焊接环将该陶瓷管与该密封电极接合。
2.根据权利要求1所述的突波吸收器,其中该焊接环由包括铜、银与锌的合金构成。
3.根据权利要求1所述的突波吸收器,其中该密封电极包括:接触部,插入至该陶瓷管内部,并朝内侧突起从而与该突波吸收单元接触;以及接面部,与该焊接环接合。
4.根据权利要求3所述的突波吸收器,其中该焊接环的外表面设置于与该陶瓷管的外表面等高之处,且相对于该陶瓷管的内表面,其内表面向内侧延伸而成。
5.根据权利要求4所述的突波吸收器,其中该焊接环包括:与该陶瓷管接合的外部,以及与该突波吸收单元一端接合的内部。
6.根据权利要求3所述的突波吸收器,还包括:焊接元件,熔化在该接触部和该端电极之间以结合该接触部和该端电极。
7.根据权利要求6所述的突波吸收器,在该接触部、该接面部与该端电极中的至少一个还包括含有镍或钛的电镀层,从而能够基于该焊接环或该焊接元件的熔化改善接合强度和放电特性。
8.一种突波吸收器的制造方法,该突波吸收器包括:陶瓷管,内部设置有突波吸收单元;第一密封电极与第二密封电极,分别插入至该陶瓷管两端,用以与该突波吸收单元接合;以及第一焊接环与第二焊接环,分别接合该陶瓷管与该第一密封电极、该第二密封电极接合,该制造方法包括:
步骤S1,提供该第一密封电极;
步骤S2,在该第一密封电极上依序层叠该第一焊接环与该陶瓷管;
步骤S3,将该突波吸收单元插入至该陶瓷管;
步骤S4,在该陶瓷管上依序层叠该第二焊接环与该第二密封电极;以及
步骤S5,将经过步骤S1至步骤S4的突波吸收器置入充有惰性气体的腔室并熔化该第一焊接环与该第二焊接环以密封该陶瓷管与该第一密封电极及该第二密封电极之间。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其中:
该第一密封电极与该第二密封电极分别包括:接触部,插入至该陶瓷管内部,并朝内侧突起从而与该突波吸收单元接触;以及接面部,分别与该第一焊接环与该第二焊接环接合,
其中,第一焊接环和第二焊接环分别插入至第一密封电极和第二密封电极的接面部。
10.根据权利要求8所述的制造方法,其中:
该第一焊接环与该第二焊接环是由在铜合金表面上包括铜和银的Ag25Cu构成;及
在该步骤S5中在800℃至850℃的温度下熔化该第一焊接环与该第二焊接环。
11.根据权利要求8所述的制造方法,其中:
该第一焊接环与该第二焊接环是由Ag56CuZnSn构成,Ag56CuZnSn为含银、铜、锌和锡的合金;及
在该步骤S5中在600℃至650℃的温度下熔化该第一焊接环与该第二焊接环。
12.根据权利要求9所述的制造方法,其中:
在该接面部的表面上还包括含有镍或钛的电镀层,从而能够改善基于该第一焊接环与该第二焊接环的熔化的接合强度和放电特性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯玛特电子公司,未经斯玛特电子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380058569.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。