[发明专利]突波吸收器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201380058569.7 申请日: 2013-11-11
公开(公告)号: CN104769793A 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 丁钟一;姜斗园;安奎镇;陈相准;金炫昌;李京美;田东昊;康东镇 申请(专利权)人: 斯玛特电子公司
主分类号: H01T4/12 分类号: H01T4/12;H01T21/00
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 代理人: 宋菲;刘云贵
地址: 韩国蔚*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 吸收 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及突波吸收器及其制造方法,且尤其涉及高耐用度的突波吸收器,这是因为使用具有高机械强度的陶瓷材料构成的陶瓷管,且陶瓷管通过焊接环与密封电极接合,因此不仅其耐久性显著增加,而且通过完全密封陶瓷管所以可以在高电压下稳定地使用。

背景技术

突波吸收器通常是设置在容易遭受异常电压(例如雷击、静电等)导致的电子突波的部分,用于当流入异常电压时通过气体放电来消耗放电能量从而防止印刷电路板上的电子装置被异常电压所损伤。突波吸收器设置于传输线和电信终端设备(例如电话机、传真机和数据机)的连接部分,或显示装置(例如电视机或监视器)的驱动电路。

图10是现有的突波吸收器的侧视图。参照图10,韩国专利申请号为2012-0097135的专利公开了一种突波吸收器包括:调节管11填充有惰性气体,一对密封电极12设置于调节管11的两端且分别电性连接至引线13,以及突波吸收单元15电性连接至密封电极12。突波吸收单元15包括:非导电性元件16;导电性镀膜17,包覆非导线性元件16;保护膜18,包覆并保护导电性镀膜17,以及多个放电间隙19,将导电性镀膜17和保护膜18分开。

然而,针对这种现有的突波吸收器而言,当调节管由玻璃管制成,并且在密封电极被插入调节管的状态下高温熔化玻璃,所以无法确保接合强度。此外,由于玻璃调节管的低强度和低结合强度,现有的突波吸收器耐用度随之下降。因此,现有的突波吸收器无法应用于高电压。

发明内容

因此,有鉴于上述问题,本发明提供一种突波吸收器,因为使用具有较佳机械强度的陶瓷材料形成陶瓷管且使用焊接环来接合陶瓷管和密封电极,所以本发明突波吸收器具有较佳耐用度且能够将陶瓷管完全密封,本发明也提供该突波吸收器的制造方法。

由于陶瓷管能够完全密封且改善耐用度,因此本发明提供了一种能够在高电压下稳定操作的突波吸收器,以及该突波吸收器的制造方法。

本发明提供了一种能够改善焊接环的湿润特性、接合强度与放电效能的突波吸收器及其制造方法,其通过在焊接接面形成电镀层而达成。

本发明的突波吸收器,包括:陶瓷管,内部填充有惰性气体;一对密封电极,设置于该陶瓷管两端;突波吸收单元,设置于该陶瓷管中,电性连接至该密封电极,且形成有放电间隙;以及焊接环,用于密封该陶瓷管与该密封电极之间,其中通过熔化该焊接环将该陶瓷管与该密封电极接合。

其中本发明的突波吸收器的该焊接环由包括铜、银与锌的合金构成。

其中本发明的突波吸收器的该密封电极包括:接触部,插入至该陶瓷管内部,并朝内侧突起从而与该突波吸收单元接触;以及接面部,与该焊接环接合。

其中本发明的突波吸收器的该焊接环的外表面设置于与该陶瓷管的外表面等高之处,且相对于该陶瓷管的内表面,其内表面向内侧延伸而成。

其中本发明的突波吸收器的该焊接环包括:与该陶瓷管接合的外部,以及与该突波吸收单元一端接合的内部。

其中本发明的突波吸收器的还包括:焊接元件,熔化在该接触部和该端电极之间以结合该接触部和该端电极。

根据本发明的突波吸收器,在该接触部、该接面部与该端电极中的至少一个还包括含有镍或钛的电镀层,从而能够基于该焊接环或该焊接元件的熔化改善接合强度和放电特性。

本发明的突波吸收器制造方法,该突波吸收器包括:陶瓷管,内部设置有突波吸收单元;第一密封电极与第二密封电极,分别插入至该陶瓷管两端,用以与该突波吸收单元接合;以及第一焊接环与第二焊接环,分别接合该陶瓷管与该第一密封电极、该第二密封电极接合,该制造方法包括:步骤S1,提供该第一密封电极;步骤S2,在该第一密封电极上依序层叠该第一焊接环与该陶瓷管;步骤S3,将该突波吸收单元插入至该陶瓷管;步骤S4,在该陶瓷管上依序层叠该第二焊接环与该第二密封电极;以及步骤S5,将经过步骤S1至步骤S4的突波吸收器置入充有惰性气体的腔室并熔化该第一焊接环与该第二焊接环以密封该陶瓷管与该第一密封电极及该第二密封电极之间。

根据本发明的突波吸收器制造方法,该第一密封电极与该第二密封电极分别包括:接触部,插入至该陶瓷管内部,并朝内侧突起从而与该突波吸收单元接触;以及接面部,分别与该第一焊接环与该第二焊接环接合,其中,第一焊接环和第二焊接环分别插入至第一密封电极和第二密封电极的接面部。

根据本发明的突波吸收器制造方法,该第一焊接环与该第二焊接环是由在铜合金表面上包括铜和银的Ag25Cu构成;及在该步骤S5中在800℃至850℃的温度下熔化该第一焊接环与该第二焊接环。

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