[发明专利]成膜掩模的制造方法在审

专利信息
申请号: 201380058995.0 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN104797733A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 水村通伸 申请(专利权)人: 株式会社V技术
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 成膜掩模 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种成膜掩模的制造方法,上述成膜掩模是使树脂制成的膜和薄板状的磁性金属构件紧贴而成的复合型的成膜掩模,上述树脂制成的膜按在基板上成膜的薄膜图案形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,上述磁性金属构件形成有内涵上述开口图案的大小的贯通孔,

上述成膜掩模的制造方法的特征在于包含如下阶段:

形成掩模用构件,上述掩模用构件是形成有上述贯通孔的上述磁性金属构件和形成上述开口图案前的树脂制膜紧贴而成的结构;

对上述掩模用构件的上述贯通孔内的上述膜照射激光而形成具有一定形状且一定深度的标记;以及

以上述标记为基准对预定的位置照射激光而形成贯通上述膜的上述开口图案。

2.根据权利要求1所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,

在上述磁性金属构件中,由桥分离的多个上述贯通孔排成一列,并且以一定的间距排列着多列,

在每个上述贯通孔内形成一个上述开口图案。

3.根据权利要求1所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在上述贯通孔内形成多个上述开口图案。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,以比用于形成上述开口图案的激光的照射脉冲次数少的脉冲次数形成上述标记。

5.根据权利要求1~3中的任一项所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,以比用于形成上述开口图案的激光的照射能量小的照射能量形成上述标记。

6.根据权利要求1~3中的任一项所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在形成上述掩模用构件的阶段与形成上述标记的阶段之间包含如下阶段:将框状的框架的一端面接合到与紧贴有上述膜的一侧相反的一侧的上述磁性金属构件的周缘部,上述框架具有内涵上述磁性金属构件的上述贯通孔的大小的开口。

7.根据权利要求4所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在形成上述掩模用构件的阶段与形成上述标记的阶段之间包含如下阶段:将框状的框架的一端面接合到与紧贴有上述膜的一侧相反的一侧的上述磁性金属构件的周缘部,上述框架具有内涵上述磁性金属构件的上述贯通孔的大小的开口。

8.根据权利要求5所述的成膜掩模的制造方法,其特征在于,在形成上述掩模用构件的阶段与形成上述标记的阶段之间包含如下阶段:将框状的框架的一端面接合到与紧贴有上述膜的一侧相反的一侧的上述磁性金属构件的周缘部,上述框架具有内涵上述磁性金属构件的上述贯通孔的大小的开口。

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