[发明专利]含有填料的硅酮组合物无效
申请号: | 201380059414.5 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN104781355A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 菲利普·米勒 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学股份公司 |
主分类号: | C09D183/04 | 分类号: | C09D183/04;C08K3/40;C08K3/08 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张英;宫传芝 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 填料 硅酮 组合 | ||
技术领域
本发明涉及填充的加成-交联硅酮组合物,其尤其允许暴露于强腐蚀环境的电部件和电子部件的保护性包封。
背景技术
硅酮浇铸组合物广泛用来保护电子电路以避免腐蚀。当今,电子部件还越来越多地暴露于特别侵蚀性的、有害的含硫气体。迄今为止可用的硅酮浇铸组合物具有相对于硫、硫化氢、二氧化硫、二硫化碳、和其它有机硫化合物的高渗透性,并且产生的金属导体轨迹的腐蚀导致这些部件的故障和寿命缩短。
EP 1 295 905 A1描述了硅酮包封组合物,其包含金属粉末作为填料,例如由银、铜、铁、镍、铝、锡、和锌构成的粉末,这里优选使用铜粉。然而,在上述文献中提供的解决方案,其中使用纯金属表面,仍然不是足够有效的,这是因为仅金属的相对较小的有效表面积可用于拦截含硫气体的反应。另外还有相关与这种解决方案的许多其它缺点,例如高价格、高密度、和不利的阻尼特性。特别不利的因素是含金属填料在硅酮组合物中的沉降,这导致不均匀的填料分布。
因此,一个目的是提供并不具有上述缺点的填充的硅酮组合物,提供(尤其是电子部件的)金属表面的良好保护(相对于有害的含硫气体),以及不呈现存在于硅酮组合物中的填料的沉降,其目的是确保均匀的填料分布。
发明内容
通过本发明来实现上述目的。
本发明提供了加成-交联硅酮组合物,包含:
(1)有机硅化合物,其具有含有脂族碳-碳多键的基团,
(2)有机硅化合物,其具有硅键合的氢原子,
(3)催化剂,其促进硅键合的氢和脂族多键之间的加成反应,以及
(4)具有银涂层的硅酸盐空心玻璃微珠作为填料,其中,按重量计大于95%的施加于硅酸盐空心玻璃微珠的银采取金属银的形式。
本发明的硅酮组合物可以是单组分硅酮组合物或双组分硅酮组合物。
如果以双组分硅酮组合物的形式提供本发明的硅酮组合物,则两种组分可以包含以任何所期望的组合的所有组分,条件是组分(2)和(3)彼此分开。
使用的具有包含脂族碳-碳多键的基团的有机硅化合物(1)优选是由以下通式的单元构成的直链或支链的有机聚硅氧烷:
RaR1bSiO(4-a-b)/2 (I),
其中
R是单价、可选取代的烃基团,其不含脂族碳-碳多键并且其具有1至18个碳原子/基团,以及
R1是单价烃基团,其具有末端的脂族碳-碳多键并且具有2至8个碳原子/基团,
a是0、1、2、或3,
b是0、1、或2,
以及总和a+b是0、1、2、或3,
条件是存在的基团R1的平均数是至少2。
优选的是,存在的有机硅化合物(1)包含以下通式的有机聚硅氧烷:
R1gR3-gSiO(SiR2O)n(SiRR1O)mSiR3-gR1g (II)
其中R和R1是如上述所限定的,
g是0、1、或2,
n是0或1至1500的整数,以及
m是0或1至200的整数,
条件是存在的基团R1的平均数是至少2。
对于本发明的目的,化学式(II)旨在表示,在有机聚硅氧烷分子中,n个单元-(SiR2O)-和m个单元-(SiRR1O)-可以具有任何所期望的分布。
基团R的实例是烷基基团,例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、1-正丁基、2-正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基基团,己基基团,例如正己基基团,庚基基团,例如正庚基基团,辛基基团,例如正辛基基团,和异辛基基团,例如2,2,4-三甲基戊基基团,壬基基团,例如正壬基基团,癸基基团,例如正癸基基团,十二烷基基团,例如正十二烷基基团,以及十八烷基基团,例如正十八烷基基团;环烷基基团,如环戊基、环己基、环庚基、和甲基环己基基团;芳基基团,例如苯基、萘基、蒽基、和菲基基团;烷芳基基团,如邻、间和对甲苯基基团、二甲苯基基团、和乙基苯基基团;以及芳烷基基团,例如苄基基团、α-和β-苯基乙基基团。
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