[发明专利]氧化物烧结体、使用其的溅射靶及氧化物膜有效
| 申请号： | 201380059488.9 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104781211A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 秋池良;仓持豪人;玉野公章 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C23C14/34;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 使用 溅射 | ||
1.一种氧化物烧结体，其含有锌(Zn)、和至少一种电离电位Ip为4.5eV≤Ip≤8.0eV，且原子半径d为以下的元素X，但仅添加Mg的情况除外，
并且，所述氧化物烧结体具有0.0001≤X/(Zn+X)≤0.20的组成比(原子比)，烧结密度为95％以上。
2.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，元素X为选自Li、Mg、Ca、Sc、Ti、Sr、Y、Zr、Nb、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Ho、Hf、Ta、W、及Bi中的至少一种元素，但仅添加Mg的情况除外。
3.如权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，以下述组成比(原子比)含有锌(Zn)、镁(Mg)和元素X，
所述X为选自Li、Ca、Sc、Ti、Sr、Y、Zr、Nb、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Ho、Hf、Ta、W、及Bi中的至少一种元素，
0.0001≤X/(Zn+Mg+X)≤0.01
0.0002≤(Mg+X)/(Zn+Mg+X)≤0.20。
4.如权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，以下述组成比(原子比)含有锌(Zn)、镁(Mg)和元素X，
所述X为选自Sc、Ti、Y、Zr、Nb、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Ho、Hf、Ta、W、及Bi中的至少一种元素，
0.0001≤X/(Zn+Mg+X)≤0.01
0.0002≤(Mg+X)/(Zn+Mg+X)≤0.20。
5.如权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，以下述组成比(原子比)含有锌(Zn)、镁(Mg)和元素X，
所述X为选自La、Ce、Nd、Sm、Eu、及Ho中的至少一种元素，
0.0001≤X/(Zn+Mg+X)≤0.01
0.0002≤(Mg+X)/(Zn+Mg+X)≤0.20。
6.一种溅射靶，其使用权利要求1～5中任一项所述的烧结体。
7.一种氧化物薄膜，其使用权利要求6所述的溅射靶而制得。
8.一种光电转换元件，其为具有作为p型半导体的光吸收层和n型半导体层的太阳能电池，其中，n型半导体层为权利要求7所述的氧化物薄膜。
9.权利要求8所述光电转换元件的制造方法，该方法包括：使用权利要求6所述的烧结体作为溅射靶，成膜n型半导体层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东曹株式会社，未经东曹株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380059488.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
