[发明专利]晶体管、存储器单元及半导体构造

权利要求书

1.一种半导体构造，其包括：

半导体基底；

栅极，其延伸到所述基底中；与所述栅极邻近的所述基底的第一区域为导电掺杂源极区域；且与所述栅极邻近且与所述第一区域隔开的所述基底的第二区域为导电掺杂漏极区域；

栅极电介质，其包括介于所述源极区域与所述栅极之间的第一区段、介于所述漏极区域与所述栅极之间的第二区段及介于所述第一区段与所述第二区段之间的第三区段；且

其中所述栅极电介质的至少一部分包括铁电材料。

2.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述铁电材料包括Hf、Zr、Si、O、Y、Ba、Mg及Ti中的一或多者。

3.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述铁电材料在所述第一区段、所述第二区段及所述第三区段内。

4.根据权利要求3所述的半导体构造，其中：

所述栅极电介质沿横截面经配置为其中具有所述栅极的开口向上的容器；

所述栅极电介质的所述第一区段包括所述容器的第一实质上垂直脚，所述栅极电介质的所述第二区段包括所述容器的第二实质上垂直脚，且所述栅极电介质的所述第三区段包括所述容器的底部；

所述栅极电介质包括第一材料，其作为所述容器的外边界且直接抵靠所述半导体基底；

所述栅极电介质包括第二材料，其介于所述第一材料与所述栅极之间；

所述第二材料为所述铁电材料；且

所述第一材料为非铁电材料。

5.根据权利要求4所述的半导体构造，其中所述第一材料沿所述容器的整体具有实质上一致的厚度。

6.根据权利要求4所述的半导体构造，其中所述第一材料沿所述容器的所述底部比沿所述容器的所述第一实质上垂直脚及所述第二实质上垂直脚厚。

7.根据权利要求4所述的半导体构造，其中所述非铁电材料由二氧化硅或氮化硅组成。

8.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述铁电材料仅在所述第一区段内。

9.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述铁电材料仅在所述第三区段内。

10.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述源极区域包括掺杂剂梯度，其中与所述源极区域内的相对浅的位置中的掺杂剂浓度相比，所述源极区域内的相对深的位置中的掺杂剂浓度较低。

11.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述漏极区域比所述源极区域的至少一些更重掺杂。

12.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述漏极区域的所述整体比所述源极区域的任何部分更重掺杂。

13.根据权利要求1所述的半导体构造，其进一步包括电耦合到所述漏极区域的电荷存储装置。

14.一种晶体管，其包括：

栅极；

源极区域；

漏极区域；

沟道区域，其介于所述源极区域与所述漏极区域之间；及

栅极电介质，其介于所述栅极与所述源极区域、所述漏极区域及所述沟道区域之间；所述栅极电介质包括介于所述源极区域与所述栅极之间的铁电材料。

15.根据权利要求14所述的晶体管，其中所述铁电材料包括Hf、Zr、Si、O、Y、Ba、Mg及Ti中的一或多者。

16.根据权利要求14所述的晶体管，其中所述栅极电介质由沿介于所述栅极电介质与所述漏极区域之间的界面的整体的非铁电材料组成。

17.根据权利要求14所述的晶体管，其中所述栅极电介质由沿介于所述栅极电介质与所述源极区域之间的界面的至少一部分的铁电材料组成。

18.根据权利要求14所述的晶体管，其中所述栅极电介质包括介于所述源极区域与所述栅极之间的第一区段、介于所述漏极区域与所述栅极之间的第二区段及介于所述第一区段与所述第二区段之间的第三区段；其中所述第一区段的仅一部分由铁电材料组成；且其中所述第一区段的剩余部分与所述第二区段及所述第三区段的整体一起由非铁电材料组成。

19.根据权利要求18所述的晶体管，其中所述第一区段的所述部分直接接触所述栅极及所述源极区域的两者。