[发明专利]三维闪存存储器系统

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

第一晶粒，所述第一晶粒包括闪存存储器单元的第一阵列；

第一控制电路，其用于在所述第一阵列内生成多个第一大小的扇区；

第二晶粒，所述第二晶粒包括闪存存储器单元的第二阵列；

第二控制电路，其用于在所述第二阵列内生成多个与所述第一大小不同的第二大小的扇区；以及

多个TSV连接，所述多个TSV连接在所述第一晶粒与所述第二晶粒之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶粒包括感测电路。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶粒包括第一电荷泵。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二晶粒被配置成在从所述第二阵列读取数据时使用所述第一电荷泵。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一晶粒包括控制逻辑。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二晶粒被配置成使用所述控制逻辑。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一大小为八个字节。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一大小为四千个字节。

9.根据权利要求1所述的设备，其中第一大小的所述扇区中的每一个被耦合到多个字线、一个擦除栅、一个源极线和一个控制栅。

10.根据权利要求9所述的设备，其中至少两个第一大小的扇区共享相同的字线。

11.根据权利要求1所述的设备，其中第一大小的所述扇区中的每一个仿真EEPROM扇区。

12.根据权利要求11所述的设备，其中仿真EEPROM扇区的第一大小的所述扇区中的每一个被耦合到多个字线、一个擦除栅、一个源极线和一个控制栅。

13.根据权利要求11所述的设备，其中至少两个第一大小的扇区共享相同的字线。

14.一种存储器设备，包括：

第一晶粒，所述第一晶粒包括闪存存储器单元的第一阵列；

第一控制电路，其用于使用所述第一阵列以第一大小的扇区来仿真EEPROM；

第二晶粒，所述第二晶粒包括闪存存储器单元的第二阵列；

第二控制电路，其用于在所述第二阵列内生成不同于第一大小的第二大小的扇区；以及

多个TSV连接，所述多个TSV连接在所述第一晶粒与所述第二晶粒之间。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一晶粒包括感测电路。

16.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一晶粒包括第一电荷泵。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第二晶粒被配置成在对来自所述第二阵列的数据进行操作时使用所述第一电荷泵。

18.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一晶粒包括控制逻辑。

19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第二晶粒被配置成使用所述控制逻辑。

20.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一晶粒还包括缓冲TSV电路。

21.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一晶粒还包括测试垫。