[发明专利]显示装置在审

专利信息
申请号: 201380060544.0 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN104823230A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 高西雄大;原义仁;中田幸伸 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;池兵
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,其特征在于,包括:

基板,其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部和以包围所述显示部的方式配置在外周侧的非显示部;

配置在所述显示部的显示部用晶体管;

配置在所述非显示部的非显示部用晶体管;

构成所述非显示部用晶体管的栅极电极部;

氧化物半导体膜,其构成所述非显示部用晶体管,所述氧化物半导体膜的至少一部分与所述栅极电极部在俯视时重叠;

源极电极部,其构成所述非显示部用晶体管,所述源极电极部的至少一部分层叠于所述氧化物半导体膜上,并且所述源极电极部与所述氧化物半导体膜连接;

漏极电极部,其构成所述非显示部用晶体管,所述漏极电极部的至少一部分层叠于所述氧化物半导体膜上,并且所述源极电极部在与所述源极电极部之间空出间隔且与所述氧化物半导体膜连接;和

绝缘膜,其至少层叠于所述源极电极部和所述漏极电极部上,该绝缘膜为下层侧绝缘膜与上层侧绝缘膜的层叠结构,该下层侧绝缘膜相对地配置于下层侧,至少含有硅和氧,该上层侧绝缘膜相对地配置于上层侧,至少含有硅和氮,并且膜厚为35nm~75nm的范围。

2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

构成所述绝缘膜的所述上层侧绝缘膜的折射率为1.5~1.9的范围。

3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于:

构成所述绝缘膜的所述上层侧绝缘膜的折射率为1.5~1.72的范围。

4.如权利要求1~3中任一项所述的显示装置,其特征在于,包括:

形成为与所述基板呈相对状的对置基板;

被夹持于所述基板与所述对置基板之间的液晶;和

介于所述基板与所述对置基板之间并且以包围所述液晶的方式配置而将所述液晶密封的密封部,

所述非显示部用晶体管配置在比所述显示部用晶体管更靠近所述密封部的位置。

5.如权利要求1~4中任一项所述的显示装置,其特征在于:

所述氧化物半导体膜具有延伸部,该延伸部从连接所述漏极电极部的位置向与所述源极电极部侧相反的一侧延伸,并且至少该延伸部的一部分与所述栅极电极部在俯视时不重叠。

6.如权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其特征在于:

包括保护膜,该保护膜以介于所述氧化物半导体膜与所述源极电极部以及所述漏极电极部之间的方式配置,具有分别形成在与所述源极电极部和所述漏极电极部在俯视时重叠的位置且使所述氧化物半导体膜与所述源极电极部以及所述漏极电极部分别连接的一对开口部,并且保护所述氧化物半导体膜。

7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:

所述保护膜至少含有硅和氧。

8.如权利要求1~7中任一项所述的显示装置,其特征在于:

所述氧化物半导体膜至少含有铟、镓和锌。

9.如权利要求1~8中任一项所述的显示装置,其特征在于,包括:

配置在所述显示部,通过与所述显示部用晶体管连接而对所述显示部用晶体管传送扫描信号的扫描信号线;和

配置在所述非显示部,与所述扫描信号线连接并且供给所述扫描信号的缓冲电路部,

所述非显示部用晶体管构成所述缓冲电路部。

10.如权利要求1~9中任一项所述的显示装置,其特征在于:

所述源极电极部和所述漏极电极部至少含有铜。

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