[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

在用于液晶显示装置的液晶面板中，作为用于控制各像素的动作的开关元件，呈矩阵状地设置有多个TFT。在现有技术中，作为在TFT中使用的半导体膜，一般使用非晶硅等硅半导体，但是近年来提案有作为半导体膜使用电子迁移率更高的氧化物半导体的技术。在下述专利文献1中记载有将这样的使用了氧化物半导体的TFT用作开关元件的液晶显示装置的一个例子。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－29373号公报

(发明所要解决的问题)

氧化物半导体由于电子迁移率高而能够实现TFT的进一步小型化，能够实现液晶面板的开口率的提高，而且能够在设置有TFT的阵列基板上设置多种电路部。另一方面，氧化物半导体存在如果侵入水分则其电特性容易发生变化，由此，导致上述的电路部不正常地动作的问题。

发明内容

本发明是基于上述那样的情况而完成的发明，其目的在于使非显示部用晶体管不易发生动作不良。

(用于解决问题的技术方案)

本发明的表示装置包括：基板，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部和以包围上述显示部的方式配置在外周侧的非显示部；配置在上述显示部的显示部用晶体管；配置在上述非显示部的非显示部用晶体管；构成上述非显示部用晶体管的栅极电极部；氧化物半导体膜，其构成上述非显示部用晶体管，上述氧化物半导体膜的至少一部分与上述栅极电极部在俯视时重叠；源极电极部，其构成上述非显示部用晶体管，上述源极电极部的至少一部分层叠于上述氧化物半导体膜上，并且上述源极电极部与上述氧化物半导体膜连接；漏极电极部，其构成上述非显示部用晶体管，上述漏极电极部的至少一部分层叠于上述氧化物半导体膜上，并且上述源极电极部在与上述源极电极部之间空出间隔且与上述氧化物半导体膜连接；和绝缘膜，其至少层叠于上述源极电极部和上述漏极电极部上，该绝缘膜为下层侧绝缘膜与上层侧绝缘膜的层叠结构，该下层侧绝缘膜相对地配置于下层侧，至少含有硅和氧，该上层侧绝缘膜相对地配置于上层侧，至少含有硅和氮，并且膜厚为35nm～75nm的范围。

这样，对于非显示部用晶体管，当对栅极电极部施加电压时，电流经由氧化物半导体膜在源极电极部与漏极电极部之间流动。该氧化物半导体膜例如与非晶硅薄膜等相比电子迁移率高，因此在源极电极部与漏极电极部之间流动大的电流时优选。

但是，在基板以包围中央侧的显示部的方式在外周侧配置非显示部的结构中，与配置在显示部的显示部用晶体管相比，配置在非显示部的非显示部用晶体管容易受到介于外部的水分的影响。假设，如果构成非显示部用晶体管的氧化物半导体膜被侵入外部的水分而产生劣化，则存在氧化物半导体膜的电特性发生变化、非显示部用晶体管不正常地动作的问题。

关于这一点，至少层叠于源极电极部和漏极电极部上的绝缘膜，由于为相对地配置在下层侧至少含有硅和氧的下层侧绝缘膜与相对地配置在上层侧至少含有硅和氮的上层侧绝缘膜的层叠结构，因此外部的水分不易通过上层侧绝缘膜到达氧化物半导体膜，而且，即使假设上层侧绝缘膜在成膜时含有氢且氢从上层侧绝缘膜脱离了的情况下，从上层侧绝缘膜脱离了的氢也不易通过下层侧绝缘膜到达氧化物半导体膜。由此，氧化物半导体膜不易产生由于侵入水分和/或氢而引起的劣化，其电特性不易发生变化，由此不易在非显示部用晶体管产生动作不良。

但是，假设上层侧绝缘膜的膜厚超过75nm时，具有在形成上层侧绝缘膜时上层侧绝缘膜中含有的氢的含有量变多并且从上层侧绝缘膜脱离了的氢的脱离量也变多的趋势，因此存在氧化物半导体膜由于从上层侧绝缘膜脱离的氢而劣化、电特性容易发生变化的问题。另一方面，假设上层侧绝缘膜的膜厚低于35nm时，对于下层侧绝缘膜的覆盖区域容易发生恶化而产生空隙(间隙)，因此存在防湿性降低、氧化物半导体膜容易被侵入水分的问题。关于这一点，通过使上层侧绝缘膜的膜厚为35nm～75nm的范围，能够使得来自上层侧绝缘膜的氢的脱离量变少，并且充分地确保上层侧绝缘膜的防湿性，因此氧化物半导体膜的电特性不易发生变化，由此不易在非显示部用晶体管产生动作不良。此外，通过充分地保持上层侧绝缘膜的防湿性，源极电极部和漏极电极部不易被水分腐蚀。

作为本发明的实施方式，优选以下结构。