[发明专利]正型感光性硅氧烷组合物

说明书

一种正型感光性硅氧烷组合物，其含有：(I)在四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液中的溶解速度不同的至少两种以上的聚硅氧烷、(II)预烘烤后的膜在2.38％重量TMAH水溶液中的溶解速度为50～1,000/秒的具有除了硅烷醇基以外的TMAH水溶液可溶性基团的聚硅氧烷、(III)重氮基萘醌衍生物以及(IV)溶剂。

技术领域

本发明涉及一种正型感光性硅氧烷组合物，更具体涉及一种 可形成光学透明、具有高温耐受性、另外具有高的化学品耐受性、 环境耐受性的图案，并且减少了在显影时因显影残渣、溶解残留 层或者难溶物的再附着等而导致的图案缺陷的正型感光性硅氧烷 组合物，该正型感光性硅氧烷组合物优选应用于：在液晶显示元 件、有机EL显示元件等显示器的背板(backplane)中使用的薄膜晶 体管(TFT)基板用平整化膜、半导体元件的层间绝缘膜的各元件， 以及固态图像传感元件、抗反射薄膜、抗反射板、光学滤波器、 高亮度发光二极管、触摸面板、太阳能电池、光波导等光学设备 等的各元件中。另外本发明也涉及由该正型感光性硅氧烷组合物 形成的固化膜。

背景技术

近年来，在显示器/发光二极管/太阳能电池等的光学元件方 面，为了更进一步提高光利用效率、节能，人们提出了各种各样 的提案。例如已知有，在液晶显示器方面，通过在TFT元件上覆 盖形成透明的平整化膜，在该平整化膜上形成像素电极，从而提 高显示装置的开口率的方法(参照专利文献1)。有人提出了也将有 机EL设备的结构从底部发射方式变更为顶部发射方式，从而与液 晶显示器同样地提高开口率的方法；该底部发射方式是在形成于 基板上的透明像素电极上蒸镀形成发光层，将发光从基板侧取出 的方式；该顶部发射方式是将源自在TFT元件上覆盖形成的平整 化膜之上的透明像素电极以及其上的发光层的发光从TFT元件侧 的相反侧取出的方式(参照专利文献2)。

另外，伴随着显示器的高分辨率化/大型化以及高画质化/3D 显示等，在配线上的信号延迟成为问题。利用图像信息的改写速 度(帧频率数)的高速化，从而使得输入到TFT的输入信号变短， 但是在根据高分辨率化要求为了降低配线电阻而扩张配线宽度的 方面存在有限制。由此，有人提出了通过增大配线厚度而解决信 号延迟的问题(参照非专利文献1)。

作为这样的TFT基板用平整化膜的材料，已知有将丙烯酸类 树脂与醌二叠氮化合物进行组合而得到的材料(参照专利文献3、 4)。但是，这些材料虽然材料特性不会在200℃以上的高温下急剧 劣化，但是存在有如下的问题：在230℃以上时开始缓慢分解，因 膜厚的降低、基板的高温处理而导致透明膜着色，从而使得透射 率降低。特别是，无法应用于在该透明膜材之上使用PE-CVD等 装置在高温下形成膜那样的工艺中。另外，在有机EL元件方面分 解物也对有机EL元件的发光效率、寿命造成不良影响，因而丙烯 酸类材料不能说是最适合应用于受到高温工艺、杂质的影响那样 的设备中的材料。另外，关于赋予了耐热性那样的丙烯酸类材料， 一般而言介电常数变高。由此，因基于绝缘膜的寄生电容变大而 使得耗电变大，或者因液晶元件驱动信号的延迟等而对画质的品 质造成问题。即使是介电常数大的绝缘材料，也可例如通过增大 膜厚而减小容量，但是一般难以利用狭缝式涂布法等在大型玻璃 基板上以例如5微米以上的膜厚形成均匀的涂布膜，并且材料使 用量也变多，因而增大膜厚是不优选的。