[发明专利]用于有机电子器件的基板有效

专利信息
申请号: 201380061341.3 申请日: 2013-12-02
公开(公告)号: CN104823298A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 金持凞;李政炯;崔俊礼 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 苏萌;钟守期
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 有机 电子器件
【权利要求书】:

1.一种用于有机电子器件的基板,其包括:

第一聚合物基底层;光学功能层,其形成在所述第一聚合物基底层上;高折射层,其形成在所述光学功能层上;及阻挡层,其形成在所述第一聚合物基底层、或高折射层的一面或两面,并且其相对于波长为633nm的光的折射率为1.45以上。

2.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述第一聚合物基底层满足下述公式1,

[公式1]

15μm≤n×d≤200μm,

在公式1中,n为所述第一聚合物基底层相对于波长为633nm的光的折射率,d为所述第一聚合物基底层的厚度。

3.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述第一聚合物基底层包含聚酰胺酸、聚酰亚胺,聚萘二甲酸乙二醇酯,聚醚醚酮、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、或环氧树脂。

4.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述阻挡层包含选自TiO、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3、及CeO2中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述光学功能层的雾度为10%至50%。

6.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述光学功能层为光散射层。

7.根据权利要求6所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述光散射层包含基体材料、及与所述基体材料的折射率不同的散射颗粒。

8.根据权利要求6所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述光散射层是具有凹凸结构的层。

9.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述高折射层相对于波长为633nm的光的折射率为1.6至2.0。

10.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述高折射层为平整层。

11.根据权利要求10所述的用于有机电子器件的基板,其中:

所述平整层包含聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚硅氧烷、或环氧树脂。

12.根据权利要求11所述的用于有机电子器件的基板,其中:

平整层还包含相对于波长为633nm的光的折射率为1.8以上、且平均粒径为50nm以下的颗粒。

13.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:

高折射层是第二聚合物基底层。

14.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,所述用于有机电子器件的基板还包括载体基板,所述第一聚合物基底层的光学功能层的相反侧的一面与所述载体基板接触。

15.一种用于有机电子器件的基板的制造方法,所述用于有机电子器件的基板的制造方法包括:

在载体基板形成第一聚合物基底层,并在所述基底层上形成光学功能层,在所述光学功能层上形成高折射层的步骤,还包括:

在所述第一聚合物基底层、或所述高折射层的一面或两面形成相对于波长为633nm的光的折射率为1.45以上的阻挡层。

16.根据权利要求15所述的用于有机电子器件的基板的制造方法,其中:

所述第一聚合物基底层通过在所述载体基板上堆叠聚合物薄膜、或涂布包含聚合物的涂布溶液来形成。

17.一种有机电子装置,其包括:

权利要求1所述的用于有机电子器件的基板;在所述基板上形成的第一电极;在所述第一电极上形成的功能性有机层;及在所述功能性有机层上形成的第二电极。

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