[发明专利]用于有机电子器件的基板有效
申请号: | 201380061341.3 | 申请日: | 2013-12-02 |
公开(公告)号: | CN104823298A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 金持凞;李政炯;崔俊礼 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 苏萌;钟守期 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 电子器件 | ||
1.一种用于有机电子器件的基板,其包括:
第一聚合物基底层;光学功能层,其形成在所述第一聚合物基底层上;高折射层,其形成在所述光学功能层上;及阻挡层,其形成在所述第一聚合物基底层、或高折射层的一面或两面,并且其相对于波长为633nm的光的折射率为1.45以上。
2.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述第一聚合物基底层满足下述公式1,
[公式1]
15μm≤n×d≤200μm,
在公式1中,n为所述第一聚合物基底层相对于波长为633nm的光的折射率,d为所述第一聚合物基底层的厚度。
3.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述第一聚合物基底层包含聚酰胺酸、聚酰亚胺,聚萘二甲酸乙二醇酯,聚醚醚酮、聚碳酸脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、或环氧树脂。
4.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述阻挡层包含选自TiO、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3、及CeO2中的一种以上。
5.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述光学功能层的雾度为10%至50%。
6.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述光学功能层为光散射层。
7.根据权利要求6所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述光散射层包含基体材料、及与所述基体材料的折射率不同的散射颗粒。
8.根据权利要求6所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述光散射层是具有凹凸结构的层。
9.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述高折射层相对于波长为633nm的光的折射率为1.6至2.0。
10.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述高折射层为平整层。
11.根据权利要求10所述的用于有机电子器件的基板,其中:
所述平整层包含聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚硅氧烷、或环氧树脂。
12.根据权利要求11所述的用于有机电子器件的基板,其中:
平整层还包含相对于波长为633nm的光的折射率为1.8以上、且平均粒径为50nm以下的颗粒。
13.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,其中:
高折射层是第二聚合物基底层。
14.根据权利要求1所述的用于有机电子器件的基板,所述用于有机电子器件的基板还包括载体基板,所述第一聚合物基底层的光学功能层的相反侧的一面与所述载体基板接触。
15.一种用于有机电子器件的基板的制造方法,所述用于有机电子器件的基板的制造方法包括:
在载体基板形成第一聚合物基底层,并在所述基底层上形成光学功能层,在所述光学功能层上形成高折射层的步骤,还包括:
在所述第一聚合物基底层、或所述高折射层的一面或两面形成相对于波长为633nm的光的折射率为1.45以上的阻挡层。
16.根据权利要求15所述的用于有机电子器件的基板的制造方法,其中:
所述第一聚合物基底层通过在所述载体基板上堆叠聚合物薄膜、或涂布包含聚合物的涂布溶液来形成。
17.一种有机电子装置,其包括:
权利要求1所述的用于有机电子器件的基板;在所述基板上形成的第一电极;在所述第一电极上形成的功能性有机层;及在所述功能性有机层上形成的第二电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG化学,未经株式会社LG化学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380061341.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择