[发明专利]用于有机电子器件的基板

说明书

技术领域

本发明涉及用于有机电子器件的基板、有机电子装置、所述基板或装置的制造方法、光源、及照明装置。

背景技术

有机电子器件(OED；Organic Electronic Device)，例如是一种如专利文献1(日本公开专利公报第1996-176293号)所述的包括至少一个能够传导电流的有机材料层的器件。有机电子器件的种类包括有机发光器件(OLED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)、或有机晶体管等。

有机发光器件，作为具代表性的有机电子器件，通常依次包括基板、第一电极层、有机层、及第二电极层。在一种已知的底部发光型器件(bottom emitting device)的结构中，所述第一电极层可形成为透明电极层，且第二电极层可形成为反射电极层。此外，在一种已知的顶部发光型器件(top emitting device)的结构中，所述第一电极层可形成为反射电极层，且第二电极层可形成为透明电极层。由电极层注入的电子(electron)和空穴(hole)在位于有机层的发光层中重新结合(recombination)以产生光。该光在底部发光型器件中可向基板侧发射，而在顶部发光型器件中可向第二电极层侧发射。

在有机发光器件的结构中，通常用作透明电极层的铟锡氧化物(ITO；Indium Tin Oxide)、有机层、以及通常为玻璃的基板的折射率分别为约2.0、1.8和1.5。由于这些折射率之间的关系，例如，底部发光型器件的发光层中产生的光在有机层与第一电极层之间的界面处或者在基板中的全内反射(total internal reflection)现象而被捕集(trap)，因此，仅发射出非常少量的光。

另外，近来，随着对柔性(flexible)有机电子器件的关注逐渐提高，在上述有机发光器件的结构中使用聚合物类基板来代替玻璃基板的技术需要也逐渐增多。但是，当使用这种聚合物类基板时，由于其在高温及湿润的环境下比玻璃类基板更加脆弱，因此，具有难以适用于有机电子器件的缺点。

发明内容

发明要解决的课题

本发明提供用于有机电子器件的基板、有机电子装置、所述基板或装置的制造方法、光源及照明装置。

解决课题的方法

本发明的一个实施方案提供一种用于有机电子器件的基板，其包括第一聚合物基底层、光学功能层、高折射层、及阻挡层。用于有机电子器件的基板可具有例如所述第一聚合物基底层、光学功能层、及高折射层依次层叠的结构，所述阻挡层可形成在所述第一聚合物基底层或高折射层的一面或两面。如图1所示，例示性的用于有机电子器件的基板1具有如下结构，在第一聚合物基底层101上依次形成有光学功能层102和高折射层103，第一阻挡层104形成在所述第一聚合物基底层101和光学功能层102之间，第二阻挡层105形成在高折射层103的未形成有光学功能层的一面。在另一实施方案中，用于有机电子器件的基板1可具有如下结构，阻挡层形成在高折射层103与光学功能层102之间，或形成在第一聚合物基底层101的下部。

第一聚合物基底层可使用合适的聚合物基底层而无特别限制。例如，基板适用于底部发光型器件时，可使用透明聚合物基底层，例如使用对可见光区域内的光的透过率为50％以上的聚合物基底层。根据需要，所述聚合物基底层可为具有驱动用薄膜电晶体(TFT)的薄膜电晶体基板。当基板用于顶部发光(top emission)型器件时，聚合物基底层并不是必须为透明基底层。根据需要，可在聚合物基底层的表面等形成有由铝等形成的反射层。

作为第一聚合物基底层，例如可使用相对于波长为633nm的光的折射率为约1.5以上、约1.6以上、约1.65以上或约1.7以上的聚合物基底层。在一个实施方案中，对第一聚合物基底层的厚度没有特别的限定，例如，可使用厚度为10μm至100μm的聚合物基底层。在一个实施方案中，第一聚合物基底层可使用满足下述公式1的聚合物基底层。

[公式1]

15μm≤n×d≤200μm