[发明专利]硬涂膜及透明导电性膜

权利要求书

1.一种硬涂膜，其特征在于，在基材膜的至少一面上具备含有粒子的第1硬涂层，由所述粒子形成的突起以每100μm²为300～4000个的密度存在于第1硬涂层的表面，第1硬涂层表面的中心线平均粗糙度(Ra1)小于30nm，雾度值小于1.5％。

2.如权利要求1所述的硬涂膜，其中，所述粒子的平均粒径(r)为0.05～0.5μm。

3.如权利要求1或2所述的硬涂膜，其中，所述粒子的平均粒径(r)相对于第1硬涂层的厚度(d)的比率(r/d)为0.01～0.30。

4.如权利要求1～3中任一项所述的硬涂膜，其中，所述突起的平均直径为0.03～0.3μm，所述突起的平均高度为0.03～0.3μm。

5.如权利要求1～4中任一项所述的硬涂膜，其中，所述突起的平均间隔为0.10～0.70μm。

6.如权利要求1～5中任一项所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层的厚度(d)为0.5μm以上且小于10μm。

7.如权利要求1～6中任一项所述的硬涂膜，其中，所述基材膜与第1硬涂层之间具备厚度为0.005～0.3μm的树脂层，所述树脂层含有平均粒径为所述树脂层厚度的1.3倍以上的粒子。

8.如权利要求1～7中任一项所述的硬涂膜，其中，所述基材膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成，所述基材膜与第1硬涂层之间具备折射率为1.55～1.61的树脂层。

9.如权利要求1～8中任一项所述的硬涂膜，其中，所述基材膜与第1硬涂层之间具备润湿张力为52mN/m以下的树脂层。

10.如权利要求9所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层的厚度小于2μm。

11.如权利要求1～10中任一项所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层中含有的所述粒子包含无机物，对所述粒子的表面实施了用于减小表面自由能的处理或疏水化处理。

12.如权利要求11所述的硬涂膜，其中，对于第1硬涂层中含有的所述粒子的表面，使用通式1(C_nF_2n+1-(CH₂)_m-Si(Q)₃)表示的有机硅烷化合物、所述有机硅烷化合物的水解物、或所述水解物的部分缩合物，实施了减小表面自由能的处理，

其中，在通式1中，n表示1～10的整数，m表示1～5的整数，Q表示碳原子数为1～5的烷氧基或卤素原子。

13.如权利要求11所述的硬涂膜，其中，对于第1硬涂层中含有的所述粒子的表面，在使用通式2(B-R⁴-SiR⁵_n(OR⁶)_3-n)表示的化合物进行处理之后，使用通式3(D-R⁷-Rf²)表示的氟化合物进行处理，由此进行了疏水化，

其中，在通式2和3中，B和D各自独立地表示反应性部位，R⁴和R⁷各自独立地表示碳原子数为1～3的亚烷基、或由所述亚烷基衍生出的酯结构，R⁵和R⁶各自独立地表示氢或碳原子数为1～4的烷基，Rf²表示氟烷基，n表示0～2的整数。

14.如权利要求11所述的硬涂膜，其中，对于第1硬涂层中含有的所述粒子的表面，使用具有反应性部位和碳原子数为4以上的氟烷基的氟化合物、具有反应性部位和碳原子数为8以上的烃基的长链烃化合物、或具有硅氧烷基和反应性部位的硅氧烷化合物进行处理，由此进行了疏水化。

15.如权利要求1～14中任一项所述的硬涂膜，其中，第1硬涂层中含有的所述粒子为二氧化硅粒子。

16.如权利要求1～15中任一项所述的硬涂膜，其中，在所述基材膜的与设置有第1硬涂层的面相反的面上具备第2硬涂层，第2硬涂层的表面实质上不存在由粒子形成的突起，且第2硬涂层表面的中心线平均粗糙度(Ra2)为25nm以下。

17.一种透明导电性膜，其中，在权利要求1～16中任一项所述的硬涂膜的至少一面上具备透明导电膜。