[发明专利]制造电子器件的方法

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：

1)将包含如下的第一有机硅组合物

I)第一收缩添加剂，和

II)第一可固化聚有机硅氧烷组合物

插入在集成散热器(IHS)与基板之间，

2)将所述第一可固化聚有机硅氧烷组合物固化以形成第一固化有机硅产物，

3)在步骤2)期间和/或之后移除所述第一收缩添加剂，从而将所述IHS压缩在所述基板上。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

1′)将包含如下的第二有机硅组合物

I)第二收缩添加剂，和

II)导热的第二可固化聚有机硅氧烷组合物

插入在所述电子器件中的发热电子元件与热耗散器之间；

其中步骤2)还将所述导热的第二可固化聚有机硅氧烷组合物固化，并且

步骤3)还移除所述第二收缩添加剂，从而压缩所述发热电子元件和所述热耗散器。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第一收缩添加剂和/或所述第二收缩添加剂是至少10个碳原子的异烷烃。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一可固化聚有机硅氧烷组合物包含：

(A)催化剂，和

(B)脂族不饱和聚有机硅氧烷，所述脂族不饱和聚有机硅氧烷每分子平均具有一个或多个能够进行固化反应的脂族不饱和有机基团，前提条件是当成分(B)不包含硅键合的氢原子时，则所述组合物还包含成分(C)SiH官能化合物，所述SiH官能化合物每分子具有平均一个或多个硅键合的氢原子，并且不同于成分(A)和(B)。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述导热的可固化聚有机硅氧烷组合物包含：

(A)催化剂，

(B)脂族不饱和聚有机硅氧烷，所述脂族不饱和聚有机硅氧烷每分子平均具有一个或多个能够进行固化反应的脂族不饱和有机基团，前提条件是当成分(B)不包含硅键合的氢原子时，则所述组合物还包含成分(C)Sill官能化合物，所述Sill官能化合物每分子具有平均一个或多个硅键合的氢原子，并且不同于成分(A)和(B)，以及

(E3)导热填料。

6.根据权利要求4或权利要求5所述的方法，其中所述第一可固化聚有机硅氧烷组合物还包含选自如下的成分：(D)隔离物；(E)填料；(F)填料处理剂；(G)稳定剂；(H)粘附促进剂；(J)助熔剂；(K)抗老化添加剂；(L)颜料；以及它们的组合，然而，前提条件是当所述导热的可固化聚有机硅氧烷组合物包含(E)填料时，(E)填料不同于(E3)导热填料。

7.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中步骤3)在步骤2)期间和之后进行。

8.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中步骤3)基本上在步骤2)之后进行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中与步骤1)中包含所述第一收缩添加剂和所述第一可固化聚有机硅氧烷组合物的所述第一有机硅组合物的厚度相比，步骤3)之后的所述第一固化有机硅产物的厚度减小5％至70％。

10.根据权利要求2所述的方法，其中所述热耗散器是所述IHS。

11.根据权利要求1或权利要求10所述的方法，其中所述IHS是封盖，并且所述第一固化有机硅产物在所述封盖与所述基板之间形成封盖密封粘合剂。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述方法在所述发热电子元件与所述IHS之间形成导热的第二固化有机硅产物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一固化有机硅产物形成封盖密封粘合剂，并且所述导热的第二固化有机硅产物形成热界面材料，并且所述电子器件为多芯片封装。