[发明专利]制造电子器件的方法

说明书

电子元件诸如半导体、晶体管、集成电路(IC)、分立器件、中央处理单元(CPU)、内存缓存和本领域已知的其他电子元件被设计成在正常操作温度下或在正常操作温度范围内操作。然而，电子元件的操作会产生热量。如果不移除足够的热量，则电子元件会在显著高于其正常操作温度的温度下操作。过高的温度可不利地影响电子元件的性能以及与此相关的电子器件的操作，并且对故障之间的平均时间造成负面影响。

为了避免这些问题，可以通过从电子元件到散热器的热传导来移除热量。然后可以通过任何便利的方式诸如对流或辐射技术，使散热器冷却。在热传导期间，可以通过使用热界面材料使发热电子元件与集成散热器(IHS)或散热器接触，将热量从电子元件传递到散热器。或者，可将热界面材料(TIM)沿着电子器件中的热路径插入，使得TIM接触散热器和电子器件中不发热的另一个元件，例如，IHS诸如封盖或盖子。可通过封盖密封粘合剂将IHS或散热器附接到电路板。该粘合剂用于将IHS或散热器机械地附接到电路板上的电子元件上方。

电子元件和IHS或散热器的表面可能不是完全平滑的，因此难以实现表面之间的完全接触。作为不良热导体的空气空间出现于表面之间并且妨碍热量的移除。将TIM插入电子元件和IHS或散热器的表面之间可填充这些空间，从而促进高效热传递。TIM的热阻越低，从电子元件流往散热器的热量就越大。施加到TIM上的较高压力也会促进较高热量从电子元件经过TIM流往IHS或散热器。为了改善热阻，可使用专用夹具或螺钉将压力机械地施加到散热器或IHS上。可在固化过程期间或在整个器件使用过程中施加压力。

多芯片封装具有单个IHS下方的两个或更多个发热电子元件，例如，中央处理单元(CPU)和内存缓存。然而，此类多芯片封装对热管理解决方案提出了另外的要求。CPU消耗最大量的功率并且是多芯片封装中需要耗散最高热量的元件。然而，由于其不位于多芯片封装的中央，可因多芯片封装中的不同元件的热膨胀系数(CTE)不匹配而产生翘曲。该CTE不匹配可使多芯片封装中的TIM受到额外的重视。内存缓存产生的热量比CPU产生的热量更低。内存缓存也往往具有比CPU的轮廓更小的轮廓，因此与内存缓存相关的TIM通常比与CPU相关的TIM更厚。

发明内容

一种制造电子器件的方法，该方法包括：

1)将包含如下的第一有机硅组合物

I)第一收缩添加剂，和

II)第一可固化聚有机硅氧烷组合物；

插入在IHS与基板之间，

2)将第一可固化聚有机硅氧烷组合物固化以形成第一固化有机硅产物，

3)在步骤2)期间和/或之后移除第一收缩添加剂，从而将IHS压缩在基板上。

附图说明

图1示出了使用本文所述的第一有机硅组合物和改进的方法制备的示例性多芯片封装。

具体实施方式

出于本申请的目的，除非说明书的上下文另外指明，否则所有量、比率和百分比均按重量计。除非本说明书的上下文另外指明，否则冠词“一个”、“一种”和“所述”各指一个(一种)或多个(多种)。

“烷基”意指无环、支链或非支链的饱和单价烃基。烷基基团的例子包括Me、Et、Pr、1-甲基乙基、Bu、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十四烷基、十六烷基以及8至16个碳原子的支链饱和单价烃基。烷基基团具有至少一个碳原子。烷基基团可具有至多20个碳原子。或者，烷基基团可具有1至12个碳原子，或者1至10个碳原子，或者1至6个碳原子，或者1至4个碳原子，或者1至2个碳原子，或者1个碳原子。

在制造电子器件的方法中，该方法包括：

1)将包含如下的第一有机硅组合物

I)第一收缩添加剂，和

II)第一可固化聚有机硅氧烷组合物；

插入在IHS与基板之间，

2)将第一可固化聚有机硅氧烷组合物固化以形成第一固化有机硅产物，