[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201380061906.8 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104813491B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 高敏镇 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/48;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 聚硅氧烷膜 发光二极管芯片 磷光体 颜色均匀 光输出 折射率 色散 申请 制造 | ||
1.一种发光二极管，包含:
发光二极管芯片，其发射波长是250nm至550nm；
形成在所述发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层，所述第一聚硅氧烷膜层包括0.5重量％或更多至小于10重量％的散射粒子，并且所述第一聚硅氧烷膜层包含磷光体；以及
形成在所述第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层，所述第二聚硅氧烷膜层包含磷光体，并且当不包含所述磷光体时具有比所述第一聚硅氧烷膜层的折射率低的折射率，
其中所述散射粒子具有100nm以上的平均粒径，并且所述散射粒子的折射率与不包含所述散射粒子的第一聚硅氧烷膜层的折射率之差的绝对值为0.15至1.0，并且
其中所述第一聚硅氧烷膜层或所述第二聚硅氧烷膜层为下述组合物的固化膜层，所述组合物包括具有式1的平均单元的有机聚硅氧烷和具有式11的平均单元的有机聚硅氧烷：
[式1]
PaQbSiO(4-a-b)/2
[式11]
HcQdSiO(4-c-d)/2
在式1和式11中，P为烯基，Q为环氧基或单价烃基，a+b在0.8至2.2的范围内且a/(a+b)为在0.001至0.15的范围内的数值，并且c和d为使得c+d为1至2.8且c/(c+d)为0.001至0.34的数值，
其中所述第一聚硅氧烷膜层包含键合于硅原子的环氧基，其中包括在所述第一聚硅氧烷膜中的环氧基的摩尔数(E)相对于总的硅原子的摩尔数(Si)的比率(E/Si)为0.001至0.15，并且
其中所述第一聚硅氧烷膜层包含键合于硅原子的芳基，其中包括在所述第一聚硅氧烷膜中的芳基的摩尔数(Ar)相对于总的硅原子的摩尔数(Si)的比率(Ar/Si)为0.3至2.0。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一聚硅氧烷膜层对于波长400nm的光具有1.5以上的折射率。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二聚硅氧烷膜层当不包含磷光体时对于波长400nm的光具有1.6以下的折射率。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一聚硅氧烷膜层包含对于波长400nm的光具有1.55以上的折射率的填料。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中在所述第一聚硅氧烷膜层中所述散射粒子的重量比为0.1重量％至30重量％。
6.一种制造根据权利要求1所述的发光二极管的方法，包括：
将第一聚硅氧烷膜转移至发光二极管芯片上；以及
将第二聚硅氧烷膜转移至所述第一聚硅氧烷膜上，所述第二聚硅氧烷膜包含磷光体，并且当不包含所述磷光体时具有比所述第一聚硅氧烷膜的折射率低的折射率。
7.一种液晶显示器，包含根据权利要求1所述的发光二极管。
8.一种照明设备，包含根据权利要求1所述的发光二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG化学，未经株式会社LG化学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380061906.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
