[发明专利]发光二极管

说明书

本发明涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。本申请可以提供具有极佳的初始光输出以及极佳的颜色均匀度和色散的发光二极管、制造该发光二极管的方法及其用途。根据本申请实施方案的发光二极管包含：发光二极管芯片；在该发光二极管芯片上的第一聚硅氧烷膜层；以及在该第一聚硅氧烷膜层上的第二聚硅氧烷膜层，第二聚硅氧烷膜层包含磷光体，并且在不包含该磷光体的状态下具有与第一聚硅氧烷膜层相比更低的折射率。

技术领域

本发明涉及发光二极管、制造其的方法及其用途。

背景技术

LED(发光二极管)由于低能耗而被考虑应用为例如灯或显示器。已获得使用GaN系列化合物半导体(例如GaN、GaAIN、InGaN和InAIGaN)的高亮度产品，作为具有约250nm至550nm波长的蓝色或UV LED，并且在例如专利文献1中提出了能够表现出高发射的LED封装的结构。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)韩国专利申请公开号2006-0066773

发明内容

技术问题

本发明涉及提供LED、制造其的方法及其用途。

技术方案

本发明的一个方面提供了示例性发光二极管(下文简称为“LED”)，该示例性LED包括LED芯片、第一聚硅氧烷膜层(下文简称为“第一膜层”)和第二聚硅氧烷膜层(下文简称为“第二膜层”)。例如，如图1所示，所述LED可以依序包括LED芯片101、存在于LED芯片101上的第一聚硅氧烷膜层102和存在于第一膜层102上的第二聚硅氧烷膜层103。此处，第一聚硅氧烷膜层102可以与LED芯片101接触，并且第二聚硅氧烷膜层103可以与第一膜层102接触。

在下文中，除非特别另行限定，否则折射率可以指对于波长约400nm的光所测量的折射率。

包括在LED中的LED芯片的种类无特别限制，并且可以使用已知芯片。例如，可以使用通过将半导体材料堆叠在衬底上所形成的LED芯片，并且可以使用GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN或SiC作为该半导体材料，但本发明不限于此。LED芯片的发射波长可以是例如250nm至550nm、300nm至500nm或330nm至470nm。发射波长可以指主要发射峰波长。当LED芯片的发射波长设置在上述范围内时，可以获得具有较长寿命、高能效和高色域的白色LED。

在一个实例中，第一和第二膜层可以具有不同的折射率，并且第一膜层可以具有高于第二膜层的折射率。如下文所述，当第二膜层包括磷光体时，在第一和第二膜层之间的折射率比较中，第二膜层的折射率可以为包括该磷光体时的折射率或不包括该磷光体时的折射率。

例如，第一膜层对于波长为400nm的光所测量的折射率可以为1.50以上或为1.55以上。此外，第一膜层的折射率上限无特别限制，并且第一膜层的折射率可以在例如约1.7以下、1.65以下或1.6以下的范围内测定。

第二膜层对于波长为400nm的光所测量的折射率可以为1.6以下、小于1.6或为1.55以下。例如，当第二膜层包括如下文所述的磷光体时，第二膜层的折射率可以为对于不包括该磷光体的第二膜层所测量的折射率。第二膜层的折射率下限无特别限制，并且第二膜层的折射率可以在例如约1.3以上、1.35以上、1.4以上或1.45以上的范围内测定。