[发明专利]附载体铜箔有效
申请号: | 201380062756.2 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN104822524A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 永浦友太;坂口和彦 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | B32B15/01 | 分类号: | B32B15/01;H05K1/09 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;何筝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载体 铜箔 | ||
技术领域
本发明涉及一种附载体铜箔。更详细而言,本发明涉及一种用作印刷配线板的材料的附载体铜箔。
背景技术
印刷配线板通常经过下述步骤而制造:在使绝缘基板与铜箔接着而制成覆铜积层板之后,通过蚀刻而在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化,从而对印刷配线板要求有导体图案的微细化(窄间距化)或高频应对等。
与窄间距化相对应,最近要求厚度9μm以下、甚至是厚度5μm以下的铜箔,但此种极薄的铜箔由于机械强度较低,在制造印刷配线板时容易破损或产生皱褶,故而出现了利用具有厚度的金属箔作为载体,对其隔着剥离层电沉积极薄铜层而成的附载体铜箔。附载体铜箔通常的使用方法是将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后,经由剥离层剥离载体。
先前,已知剥离层是由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或它们的合金或它们的水合物所形成。进而,也记载有为了实现加热压制等高温使用环境下的剥离性的稳定化,有效的是在剥离层的基底设置Ni、Fe或它们的合金层。(日本特开2010-006071号公报、日本特开2007-007937号公报)。
在这些文献中,对剥离层上的镀敷因其剥离性而非常难以进行均匀的镀敷,因此根据镀敷条件而存在在形成的极薄铜箔针孔的数变多的情况。因此,也记载有首先在剥离层上进行冲击镀铜,在冲击镀敷层上进而镀铜,由此可在剥离层上实施均匀的镀敷,可明显减少极薄铜箔的针孔数。
[专利文献1]日本特开2010-006071号公报;
[专利文献2]日本特开2007-007937号公报。
发明内容
对于附载体铜箔,在向绝缘基板的积层步骤前必须避免极薄铜层自载体剥离,另一方面,在向绝缘基板的积层步骤后必须可将极薄铜层自载体剥离。而且,对于附载体铜箔,极薄铜层侧的表面存在针孔会导致印刷配线板的性能不良,因此欠佳。
关于这些方面,背景技术并未进行充分的研究,尚有改善的余地。因此,本发明的课题在于提供一种在向绝缘基板的积层步骤前极薄铜层不会自载体剥离,另一方面,在向绝缘基板的积层步骤后可进行剥离的附载体铜箔。本发明的课题也在于进而提供一种抑制在极薄铜层侧表面产生针孔的附载体铜箔。
为达成上述目的,本发明人等反复进行潜心研究,结果发现有效的是使用铜箔作为载体,使由Ni层及极薄的Cr层的2层构成的中间层而形成于极薄铜层与载体之间。并且,发现通过在中间层添加微量Zn,可进一步提高特性。
本发明基于上述见解而完成,在一个实施方案中为一种附载体铜箔,其依序具有铜箔载体、中间层、及极薄铜层,中间层自铜箔载体侧依序具有Ni层及Cr层,中间层中的Ni的附着量为100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2,中间层中的Cr的附着量为5~100μg/dm2。
本发明在另一实施方案中为一种附载体铜箔,其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜层,中间层是由接触于与铜箔载体的界面的Ni层、及接触于与极薄铜层的界面的Cr层构成,中间层中的Ni的附着量为100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2。中间层中的Cr的附着量为5~100μg/dm2。
本发明在另一实施方案中为一种附载体铜箔,其依序具有铜箔载体、中间层、及极薄铜层,中间层自铜箔载体侧依序具有Ni层及Cr层,中间层中的Ni的附着量为100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2,中间层中的Cr的附着量为5~100μg/dm2,在中间层中,进一步以1~70μg/dm2的附着量存在Zn。
本发明在另一实施方案中为一种附载体铜箔,其具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜层,中间层是由接触于与铜箔载体的界面的Ni层、及接触于与极薄铜层的界面的Cr层构成,中间层中的Ni的附着量为100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2,中间层中的Cr的附着量为5~100μg/dm2,在中间层中,进一步以1~70μg/dm2的附着量存在Zn。
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