[发明专利]多维结构访问

权利要求书

1.一种分析具有多层导电材料的三维集成电路结构中的感兴趣的区域的方法，包括：

以非法向角度朝向三维集成电路结构引导聚焦离子束到导电材料层以暴露多个水平导电层；

确定哪个暴露的水平导体对应于感兴趣的部件的垂直位置；

移动一个或多个电气探测器以从上方接触暴露的水平导体；

向电气探测器施加电压；以及

观察所施加的电压的效应以分析感兴趣的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中朝向三维集成电路结构引导聚焦离子束包括：在暴露多个水平导电层以提供对感兴趣的区域的电气访问的同时引导聚焦离子束以保留感兴趣的区域原封不动。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中移动一个或多个电气探测器以接触暴露的水平导体包括：移动电气探测器中的一个或多个以将探测器定位在暴露的水平导体上方并且然后以具有垂直分量的方向移动探测器以接触暴露的水平导体。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中以非法向角度引导聚焦离子束到导电材料表面层包括以在距对表面的法向大约30°到大约45°之间的角度引导聚焦离子束。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中观察所施加的电压的效应包括使用电压对比成像、感测电信号或使用原子力显微镜探测器来分析感兴趣的区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其中感测电信号包括使用一个或多个电气探测器来感测电压或电流。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中三维结构包括数据储存电路。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中三维结构包括逻辑电路和/或NAND、SRAM、DRAM或存储器单元。

9.一种分析三维集成电路结构中的感兴趣的区域的方法，包括：

朝向三维集成电路结构引导聚焦离子束以铣削暴露多个水平导电层的表面；

确定哪个暴露的水平导电层对应于感兴趣的区域的垂直位置；

降低电气探测器以接触处于所确定的水平导电层中且对应于感兴趣的区域的导体；

向电气探测器施加电压；以及

观察所施加的电压的效应以分析感兴趣的区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其中朝向三维集成电路结构引导聚焦离子束以铣削暴露多个水平导电层的表面包括与工件表面成法向地引导聚焦离子束，且还包括倾斜工件以使得对铣削表面的法向具有垂直分量。

11.根据权利要求10所述的方法，其中倾斜工件包括以在大约30°到大约45°之间的角度倾斜工件。

12.根据权利要求9所述的方法，其中朝向三维集成电路结构引导聚焦离子束以铣削暴露多个水平导电层的表面包括以非法向角度引导聚焦离子束到水平导电层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中以非法向角度引导聚焦离子束到水平导电层包括以在大约30°到大约45°之间的角度引导聚焦离子束到水平导电层。

14.根据权利要求9-13中任一项所述的方法，其中观察所施加的电压的效应以分析感兴趣的区域包括使用电压对比成像、感测电信号或使用原子力显微镜探测器。

15.根据权利要求14所述的方法，其中感测电信号包括使用一个或多个电气探测器来感测电压或电流。

16.一种用于分析三维集成电路中的感兴趣的区域的系统，包括：

离子光学柱，用于提供聚焦离子束；

电子光学柱，用于提供聚焦电子束；

粒子检测器，用于检测从样本发射的次级粒子；

在三个维度中可移动的电气探测器，用于接触集成电路并提供到感兴趣的区域的电接触；

控制器，与计算机存储器通信，所述计算机存储器存储用于执行以下操作的指令：

朝向三维集成电路结构引导聚焦离子束以铣削暴露多个水平导电层的表面；

确定哪个暴露的水平导电层对应于感兴趣的区域的垂直位置；

降低电气探测器以接触处于所确定的水平导电层中且对应于感兴趣的区域的导体；

向电气探测器施加电压；以及

观察所施加的电压的效应以分析感兴趣的区域。