[发明专利]用于重新形成电阻存储器单元的装置和方法

权利要求书

1.一种存储器，包括：

存储器单元的阵列；

第一模块，被配置为比较存储器单元的第一状态与基准，其中所述存储器单元在存储器单元的所述阵列中；以及

第二模块，被配置为继所述存储器单元的读周期或写周期之后并且基于所述比较，重新形成所述存储器单元，以调整在所述存储器单元的所述第一状态和第二状态之间的电阻的差值。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中：

所述基准是所述第二状态，并且所述第一模块被配置为确定在所述第一状态和所述第二状态之间的所述差值；或者

所述基准是预定阈值。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中：

所述第一模块被配置为确定在所述第一状态和所述第二状态之间的所述差值；以及

所述第二模块被配置为基于所述差值，重新形成所述存储器单元，以调整所述第一状态和所述第二状态，

其中，继所述存储器单元的所述重新形成之后，在所述第一状态或所述第二状态之间的第二差值大于预定差值。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中：

所述第一模块被配置为确定在预定阈值和所述第一状态之间的第二差值，并且确定在第二预定阈值和所述第二状态之间的第三差值；以及

所述第二模块被配置为基于所述第二差值或所述第三差值，重新形成所述存储器单元，以调整所述第一状态和所述第二状态。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中：

所述第一模块被配置为确定所述第一状态是否小于第一预定阈值或者所述第二状态是否大于第二预定阈值；以及

所述第二模块被配置为如果所述第一状态小于所述第一预定阈值或者所述第二状态大于所述第二预定阈值，则重新形成所述存储器单元。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中：

所述第一状态指示所述存储器单元的第一电阻；

所述第二状态指示所述存储器单元的第二电阻；以及

所述第二模块被配置为基于所述差值或所述比较，增加所述第一状态或减少所述第二状态。

7.根据权利要求1所述的存储器，进一步包括第三模块，其中所述第二模块被配置为在重新形成所述存储器单元的同时经由所述第三模块向所述存储器单元施加电压或电流电平。

8.根据权利要求7所述的存储器，其中：

所述第二模块被配置为经由所述第三模块向所述存储器单元的电阻施加所述电压或所述电流电平；

所述电压大于用于从所述存储器单元读取或者向所述存储器单元写入的电压；以及

所述电流电平大于用于从所述存储器单元读取或者向所述存储器单元写入的电流电平。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第二模块被配置为基于所述差值或所述比较，重新形成存储器单元的所述阵列中的两个或更多个存储器单元。

10.根据权利要求1所述的存储器，其中：

所述第二模块被配置为基于所述差值或所述比较，重新形成存储器单元的所述阵列中的存储器单元组；并且

所述存储器单元在所述存储器单元组中。

11.根据权利要求1所述的存储器，其中：

所述第二模块被配置为基于所述差值或所述比较，重新形成存储器单元的所述阵列中的存储器单元组；并且

所述存储器单元不在所述存储器单元组中。

12.根据权利要求1所述的存储器，进一步包括生成输出信号的第三模块，其中：

所述输出信号指示所述存储器单元的状态；以及

所述第一模块被配置为接收所述输出信号，并且基于所述输出信号来确定所述差值。

13.一种网络设备，包括：

电阻存储器，其包括存储器单元的阵列；

第一模块，被配置为比较存储器单元的第一状态与基准，其中所述存储器单元在存储器单元的所述阵列中；以及

第二模块，被配置为继所述存储器单元的读周期或写周期之后并且基于所述比较，重新形成所述存储器单元，以调整在所述存储器单元的所述第一状态和第二状态之间的电阻的差值。

14.根据权利要求13所述的网络设备，其中所述第一模块或所述第二模块中的至少一个模块被实现在所述电阻存储器中。