[发明专利]用于重新形成电阻存储器单元的装置和方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年10月22日提交的美国发明申请No.14/059,790的优先权以及2012年10月24日提交的美国临时申请No.61/717,894的权益。上面引用的申请的整体公开内容通过引用方式并入于此。

技术领域

本公开涉及非易失性存储器，并且更具体地涉及电阻存储器的形成。

背景技术

本文中提供的背景描述是为了总体上给出本公开的上下文的目的。当前提名的发明人的工作(到工作被描述在此背景部分中的程度)以及在提交时可能无法以其他方式有资格作为现有技术的说明书各方面，既不明确也不暗示地被承认为抵触本公开内容的现有技术。

非易失性存储器可以包括存储器单元的阵列。存储器单元中的每个存储器单元可以具有多个电阻状态。诸如相变随机存取存储器(PRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)之类的某些非易失性存储器(本文中称为“电阻存储器”)包括具有相应电阻的存储器单元。电阻中的每个电阻基于对应存储器单元的状态而改变。例如，当存储‘0’时存储器单元可以具有第一(或低)电阻状态，并且当存储‘1’时存储器单元可以具有第二(或高)电阻状态。

作为第一示例，为了确定存储器单元的电阻状态，可以在存储器单元的电阻两端施加电压。通过电阻的电流然后可被检测并且指示电阻状态。基于检测的电流，确定存储器单元的电阻状态。作为另一示例，可以向存储器单元的电阻供应电流。电阻两端的电压然后可被检测并且指示电阻状态。然后可以基于检测的电压来确定存储器单元的电阻状态。

电阻存储器通常只有一次“形成”能力。术语“形成”指的是电阻存储器中的存储器单元的激活。在制造电阻存储器之后，电压可以施加于例如电阻存储器的位线，以激活存储器单元。施加的电压可以大于在电阻存储器的读写操作期间向位线施加的电压。该电压仅施加单次并且在执行任何读写操作之前。

发明内容

提供了一种存储器，其包括存储器单元的阵列、第一模块和第二模块。第一模块被配置为比较存储器单元的第一状态与基准。存储器单元在存储器单元的阵列中。第二模块被配置为继存储器单元的读周期或写周期之后并且基于比较，重新形成(reform)存储器单元，以调整在存储器单元的第一状态和第二状态之间的差值。

在其它特征中，基准是第二状态，并且第一模块被配置为确定在第一状态和第二状态之间的差值。在又一些其它特征中，基准是预定阈值。

在其它特征中，第一模块被配置为确定在第一状态和第二状态之间的差值。第二模块被配置为基于差值来重新形成存储器单元，以调整第一状态和第二状态。继存储器单元的重新形成之后，在第一状态或第二状态之间的第二差值大于预定差值。

在其它特征中，第一模块被配置为确定在预定阈值和第一状态之间的第二差值，并且确定在第二预定阈值和第二状态之间的第三差值。第二模块被配置为基于第二差值或第三差值，重新形成存储器单元，以调整第一状态和第二状态。

在其它特征中，第一模块被配置为确定第一状态是否小于第一预定阈值或者第二状态是否大于第二预定阈值。如果第一状态小于第一预定阈值或者第二状态大于第二预定阈值，则第二模块被配置为重新形成存储器单元。

在其它特征中，第一状态指示存储器单元的第一电阻。第二状态指示存储器单元的第二电阻。第二模块被配置为基于差值或比较，增加第一状态或减少第二状态。

在其它特征中，存储器包括第三模块。第二模块被配置为在重新形成存储器单元的同时，经由第三模块向存储器单元施加电压或电流电平。

在其它特征中，提供了一种网络设备，其包括电阻存储器、第一模块和第二模块。电阻存储器包括存储器单元的阵列。第一模块被配置为比较存储器单元的第一状态与基准。存储器单元在存储器单元的阵列中。第二模块被配置为继存储器单元的读周期或写周期之后并且基于比较，重新形成存储器单元，以调整在存储器单元的第一状态和第二状态之间的差值。

在其它特征中，第一模块或第二模块中的至少一个模块实现在电阻存储器中。