[发明专利]耐等离子性构件

权利要求书

1.一种耐等离子性构件，其特征在于，具备：

基材；

及层状结构物，形成于所述基材的表面，包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子性，

所述层状结构物具有：

第1凹凸结构；

及第2凹凸结构，在所述第1凹凸结构上重叠而形成，具有与所述第1凹凸结构相比更细微的凹凸。

2.根据权利要求1所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述第1凹凸结构在所述层状结构物的表面的一部分上形成，且具有结晶粒子的集团脱落的空隙，

所述第2凹凸结构在所述层状结构物的表面的整体上形成，且具有所述结晶粒子的大小细微的凹凸。

3.根据权利要求1所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述层状结构物的表面的算术平均Sa为0.025μm以上0.075μm以下，

由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的实体体积Vmc为0.03μm³/μm²以上0.08μm³/μm²以下，

由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的中空体积Vvc为0.03μm³/μm²以上0.1μm³/μm²以下，

所述层状结构物的表面的界面的展开面积率Sdr为3以上28以下。

4.根据权利要求1所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述第1凹凸结构及所述第2凹凸结构是通过实施化学处理形成的。

5.根据权利要求1所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述层状结构物具有所述氧化钇多结晶体的疏密结构。

6.根据权利要求5所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述疏密结构之中的疏的部分从所述层状结构物表面的层朝向与所述表面的层相比更深的层变小。

7.根据权利要求5所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述疏密结构在密的部分中三维地分布有密度与所述密的部分的密度相比更小的疏的部分。

8.根据权利要求1所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述层状结构物是通过气溶胶沉积法形成的。

9.一种耐等离子性构件，其特征在于，具备：

基材；

及层状结构物，形成于所述基材的表面，包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子性，

在平面分析中的截止为0.8μm的情况下，

所述层状结构物的表面的算术平均Sa为0.010μm以上0.035μm以下，

由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的实体体积Vmc为0.01μm³/μm²以上0.035μm³/μm²以下，

由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的中空体积Vvc为0.012μm³/μm²以上0.05μm³/μm²以下，

所述层状结构物的表面的界面的展开面积率Sdr为1以上17以下，

所述层状结构物的表面的均方根斜率SΔq为0.15以上0.6以下。

10.根据权利要求9所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述层状结构物具有所述氧化钇多结晶体的疏密结构。

11.根据权利要求10所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述疏密结构之中的疏的部分从所述层状结构物表面的层朝向与所述表面的层相比更深的层变小。

12.根据权利要求10所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述疏密结构在密的部分中三维地分布有密度与所述密的部分的密度相比更小的疏的部分。

13.根据权利要求9所述的耐等离子性构件，其特征在于，

所述层状结构物是通过气溶胶沉积法形成的。