[发明专利]耐等离子性构件

说明书

技术领域

本发明的形态一般涉及耐等离子性构件，具体而言，涉及在腔室内进行干法刻蚀、溅射及CVD等处理的半导体制造装置中所使用的耐等离子性构件。

背景技术

在半导体的制造工序中，要求减少被加工物的微粒和通过减少所制造的器件的状态不良来提高成品率。

对此，存在以下电子器件的制造装置：腔室的顶部由石英玻璃构成，且在顶部内面上形成的微小凹凸部的平均表面粗糙度为0.2～5μm(专利文献1)。此外，存在以下耐等离子性构件：不存在孔洞(pore：孔)或粒界层，以抑制·减少来自耐等离子性构件的脱粒的发生(专利文献2)。此外，存在以下等离子反应器的构成元件，其为在等离子反应器的构成元件的等离子暴露面上具备被等离子喷涂了陶瓷或聚合物材料等的被膜的等离子反应器的构成元件，其具有促进聚合物堆积物的附着的表面粗糙度特性(专利文献3)。根据专利文献3所记载的等离子反应器的构成元件，能够减少处理中的微粒污染。此外，存在以下耐等离子性构件，在由氮化硅质烧结体形成的基体的表面上，介由由SiO₂或元素周期表第3a族元素和硅的复合氧化物形成的中间层，形成由金属氟化物、氧化物及氮化物中至少1种而成的耐腐蚀性表面层(专利文献4)。根据专利文献4所记载的耐等离子性构件，由于氮化硅质烧结体以更低损失而形成高强度，因此进一步改善耐腐蚀性，还提高对于破坏的可靠性。

在半导体的制造工序中，存在为了使微粒减少而用预涂膜(被膜)大致均匀地覆盖腔室的内壁的情况。预涂膜由不会给半导体器件带来不良影响的材料形成。在用被膜大致均匀地覆盖腔室的内壁的情况下，需要提高被膜的密合强度或密合力，使被膜不容易剥落。此外，即使在腔室内产生了被生成的反应生成物、微粒等，也需要覆盖腔室内的被膜使反应生成物、微粒等在被膜自身的表面上附着从而进行捕获。近来，半导体器件的精细图案化在发展，从而需要以纳米级来控制微粒。

专利文献1：日本国专利第3251215号公报

专利文献2：日本国专利第3864958号公报

专利文献3：日本国特开2012-54590号公报

专利文献4：日本国特开2001-240482号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种耐等离子性构件，能够提高覆盖腔室内壁的被膜的密合强度或密合力，或能够减少微粒。

根据本发明的一个形态，提供一种耐等离子性构件，其特征在于，具备：基材；及层状结构物，形成于所述基材的表面，包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子性，所述层状结构物具有：第1凹凸结构；及第2凹凸结构，在所述第1凹凸结构上重叠而形成，具有与所述第1凹凸结构相比更细微的凹凸。

根据本发明的另外一个形态，提供一种耐等离子性构件，其特征在于，具备：基材；及层状结构物，形成于所述基材的表面，包含氧化钇多结晶体且具有耐等离子性，在平面分析中的截止为0.8μm的情况下，所述层状结构物的表面的算术平均Sa为0.010μm以上0.035μm以下，由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的实体体积Vmc为0.01μm³/μm²以上0.035μm³/μm²以下，由所述层状结构物的表面的负荷曲线求出的中心部的中空体积Vvc为0.012μm³/μm²以上0.05μm³/μm²以下，所述层状结构物的表面的界面的展开面积率Sdr为1以上17以下，所述层状结构物的表面的均方根斜率SΔq为0.15以上0.6以下。

附图说明

图1是表示具备本发明的实施方式所涉及的耐等离子性构件的半导体制造装置的模式剖视图。

图2是例示半导体的制造工序的一个例子的模式图。

图3是表示在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的表面的图片。

图4(a)～图4(f)是将在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的表面进行放大的图片。

图5(a)及图5(b)是表示在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的剖面的图片。

图6(a)及图6(b)是表示在耐等离子性构件的表面上形成的层状结构物的其他表面的图片。

图7(a)～图7(c)是说明3维表面特性参数的模式图。

图8是表示层状结构物表面的算术平均的曲线图。

图9是表示层状结构物表面的中心部的实体体积的曲线图。

图10是表示层状结构物表面的中心部的中空体积的曲线图。