[发明专利]磁记录介质用铝基板

说明书

本发明的磁记录介质用铝基板为成膜有厚度6μm以上的SiO₂膜的铝基板，其特征在于，前述SiO₂膜是将前述铝基板加热至150℃~370℃并利用气相成膜法而成膜的。

技术领域

本发明涉及作为磁记录介质（磁盘）的基板使用且在高温下成膜有适合形成磁性膜（记录层）的SiO₂膜的铝基板。

背景技术

作为信息记录用介质，磁记录介质为通用性高的介质。作为对磁记录介质所要求的特性，要求硬度和耐瑕疵性优异。例如，磁记录介质在制造时、使用时有时受到冲击而使磁头和磁记录介质发生接触，因该接触等而在磁记录介质表面产生瑕疵、凹坑等物理缺陷时，该缺陷成为记录介质的不良原因。因此，要求磁记录介质具有充分的硬度和耐瑕疵性。

另外，还要求磁记录介质的表面是平滑的。对磁记录介质记录・读取信息是借助在记录介质上移动的磁头进行的，磁头与磁记录介质的间隔（磁头的浮起高度）最多不过数nm左右。因此，为了防止与磁头的接触、记录・读取不良，对磁记录介质要求亚纳米水平的优异表面平滑性。

作为磁记录介质用基板，已知有铝基板，但铝基板单独存在时，硬度、耐瑕疵性不充分或者难以通过研磨来实现平滑性。因此，使用在铝基板表面实施了无电解NiP镀敷的NiP镀敷铝基板。NiP镀敷覆膜的硬度、耐瑕疵性也高，通过研磨可实现优异的平滑性。

NiP镀敷铝基板如下制造：将压延而制造的线圈状铝板冲切成圆板状，实施内外周的车床加工和主表面的研削加工（研磨加工）后，利用无电解镀敷来进行NiP镀敷，进而进行研磨加工（抛光加工）、清洗来制造（非专利文献1）。

例如，关于磁记录介质的构成，在NiP镀敷铝基板上形成有软磁性衬里层、中间层（晶粒控制层、晶体取向控制层等）等，并在其上成膜有作为记录层的磁性膜，进而形成有表面保护层（硬质碳等）。

近年来，磁记录介质逐渐大容量化，正在开发飞跃性地提高记录密度的下一代磁记录介质。例如，要推进磁记录介质的高密度化时，需要使磁性颗粒发生微细化，从而产生磁记录数据的一部分因周围的热影响而消失这一热差异的问题，因此提出了磁性膜的保磁力得以提高的磁记录介质。然而，提高保磁力时，难以利用现有的磁头来记录数据，因此，关注利用激光来加热记录介质同时记录数据的热辅助记录方式。该记录方式中，使形成有磁记录介质的磁性膜的加热部分的保磁力降低，从而能够记录数据，另外，非加热部分的保磁力高，因此能够消除热差异。

在适合于这种热辅助记录方式的磁记录介质的制造过程中，磁性膜的成膜温度等制造时的热经历有时达到300℃以上、进而达到350℃以上。现在通用的形成有NiP镀敷覆膜的铝基板的情况下，作为基底的铝基板的耐热性为370℃以上，NiP镀敷覆膜被加热至300℃以上时会发生结晶化而具备磁性，因此事实上仅能应对到300℃左右为止，基板的耐热温度成为磁记录介质制造方面的明显限制。

针对这种问题，尝试了通过添加第三成分来改善NiP镀敷覆膜的耐热性（专利文献1），但最多不过是320℃左右为止的耐热性，无法获得充分的耐热性改善效果。

因此，需要开发非磁性且高硬度且耐瑕疵性优异、进而耐热性也优异的基板覆膜来代替现有NiP镀敷的基板覆膜。作为符合这种条件的覆膜，着眼于非晶质的SiO₂膜。

例如，专利文献2中提出了基于溶胶-凝胶法的SiO₂膜。然而，利用溶胶-凝胶法来成膜时，该成膜过程中的质量减少和体积收缩较大，难以确保所需的膜厚。

进而，专利文献3中提出了利用溅射法来成膜0.6μm左右的SiO₂膜的技术。虽然可实现表面精度、硬度、耐磨耗性，但膜厚为0.6μm时对于实现耐瑕疵性而言是不充分的。为了改善耐瑕疵性而加厚SiO₂膜时，SiO₂膜与铝基板的热膨胀系数之差较大，因此被暴露于高温环境下时，产生SiO₂膜容易发生龟裂这一问题。