[发明专利]用于光刻设备的投影系统、反射镜和辐射源

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年1月28日递交的美国临时申请61/757,358的权益，并且其通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于光刻设备的投影系统和用于其的反射镜。本发明还涉及一种包括这种投影系统的光刻设备。本发明还涉及一种用于光刻设备的辐射源。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术越来越成为允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)可知，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内的电磁辐射。另外，已经提出可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如在5-10nm范围内的辐射，例如6.7nm或6.8nm。这样的辐射被称为极紫外辐射或者软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

EUV辐射可以使用等离子体产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器设备。等离子体例如可通过引导激光束到达燃料而形成，燃料例如为合适材料(例如，锡)的颗粒或者合适的气体或蒸汽流，例如氙气或锂蒸汽。产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，使用辐射收集器收集该辐射。该辐射收集器可以为装有反射镜的正入射辐射收集器，其接收辐射并且将辐射聚焦成光束。该源收集器设备可以包括设置为提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或腔室。通常，这种辐射系统被称为激光产生等离子体(LPP)源。

在EUV投影光学器件中的反射镜为坚硬的、机械稳定的元件。高硬度导致高的本征频率，这对于获得高控制器带宽来说是期望的。然而，为了抵消可能由于透镜受热导致的反射镜像差的影响，提出了提供能够刻意变形的反射镜，所引入的变形抵消(至少部分)了像差的影响。这种反射镜需要更易弯曲。这种在硬度上的降低可能导致低的本征频率，并且因此导致低的带宽。

发明内容

期望能够在投影光学器件中使用可变形反射镜，同时保持可接受的控制器带宽。