[发明专利]吸引装置、搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法在审
申请号: | 201380071739.5 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN104969330A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 一之濑刚;井部泰辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孙明轩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸引 装置 方法 系统 曝光 器件 制造 | ||
1.一种吸引装置,对板状的物体以非接触的方式作用吸引力,其特征在于,具有:
基座部件;和
多个吸引部件,其设在所述基座部件上,并分别在所述物体周围产生气体的流动而产生对该物体的吸引力,
所述多个吸引部件在相互不同的状态下产生所述气体的流动。
2.根据权利要求1所述的吸引装置,其特征在于,所述相互不同的状态是所述多个吸引部件所产生的对所述物体的吸引力的大小不同的状态。
3.根据权利要求1所述的吸引装置,其特征在于,所述相互不同的状态是所述多个吸引部件所产生的所述气体的流动的速度相互不同的状态。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的吸引装置,其特征在于,还具有:
向所述多个吸引部件供给气体的气体供给装置;和
控制所述气体供给装置的控制装置,
所述控制装置能够分别控制向所述多个吸引部件供给的气体的状态。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的吸引装置,其特征在于,还具有向所述多个吸引部件供给气体的气体供给装置,
所述气体供给装置将所述多个吸引部件分组化,并能够按照每个组来控制气体。
6.根据权利要求5所述的吸引装置,其特征在于,还具有控制所述气体供给装置的控制装置,
所述多个吸引部件被分组化为:包括配置在所述基座部件的外周侧的多个吸引部件在内的第一组、和包括配置在所述基座部件的中央侧的吸引部件在内的第二组。
7.根据权利要求6所述的吸引装置,其特征在于,所述控制装置使包括在所述第二组中的所述吸引部件所产生的吸引力比包括在所述第一组中的所述吸引部件所产生的吸引力弱。
8.一种吸引装置,对板状的物体以非接触的方式作用吸引力,其特征在于,具有:
基座部件;
多个气体流通孔,其设在所述基座部件上,分别在所述物体周围产生气体的流动;以及
调整装置,其使所述物体变形,
边通过经由所述多个气体流通孔的所述气体的流动来保持所述物体,边通过所述调整装置使所述物体变形。
9.根据权利要求8所述的吸引装置,其特征在于,所述调整装置包括:供给经由所述多个气体流通孔喷出的气体的气体供给装置;和控制所述气体供给装置的控制装置,
所述控制装置能够分别控制经由所述多个气体流通孔喷出的气体的状态。
10.根据权利要求8所述的吸引装置,其特征在于,所述控制装置以使通过经由所述多个气体流通孔的气体的流动而产生的对所述物体的吸引力成为与各气体流通孔在所述基座部件上的位置相对应的最佳值的方式进行设定。
11.根据权利要求8所述的吸引装置,其特征在于,所述调整装置包括供给经由所述多个气体流通孔喷出的气体的气体供给装置,
所述多个气体流通孔被分组化,所述气体供给装置能够对每个所述组来控制经由所述气体流通孔喷出的气体。
12.根据权利要求11所述的吸引装置,其特征在于,所述多个气体流通孔被分组化为:包括配置在所述基座部件的外周侧的多个气体流通孔在内的第一组、和包括配置在所述基座部件的中央侧的气体流通孔在内的第二组。
13.根据权利要求12所述的吸引装置,其特征在于,所述调整装置还包括控制所述气体供给装置的控制装置,
所述控制装置使通过经由包括在所述第二组中的所述气体流通孔的气体的流动而产生的对所述物体的吸引力比通过经由包括在所述第一组中的所述气体流通孔的气体的流动而产生的对所述物体的吸引力弱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造