[发明专利]吸引装置、搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法在审
申请号: | 201380071739.5 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN104969330A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 一之濑刚;井部泰辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孙明轩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸引 装置 方法 系统 曝光 器件 制造 | ||
技术领域
本发明涉及吸引装置、搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法,尤其涉及一种对板状的物体以非接触的方式作用吸引力的吸引装置、将所述板状的物体搬入至移动体上的搬入方法、适合于该搬入方法的实施的搬送系统及具有该搬送系统的曝光装置、和使用该曝光装置的器件制造方法。
背景技术
以往,在制造半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等电子器件(微型器件)的光刻工序中,主要使用步进重复(step and repeat)方式的投影曝光装置(所谓步进曝光装置(stepper))、或步进扫描(step and scan)方式的投影曝光装置(所谓扫描步进曝光装置(也被称为扫描仪))等。
在这种曝光装置中使用的、成为曝光对象的晶片或玻璃板等基板正逐渐(例如晶片的情况下为每10年)变得大型化。虽然当前直径300mm的300毫米晶片成为主流,但直径450mm的450毫米晶片时代的到来已迫近。当过渡到450毫米晶片时,可从1片晶片取出的裸片(芯片)的数量将成为现行300毫米晶片的2倍以上,有助于成本削减。
但是,由于晶片的厚度并没有与其尺寸成比例地增大,所以450毫米晶片与300毫米晶片相比,强度及刚性非常弱。因此,例如即使受理一个晶片的搬送,若直接采用与当前的300毫米晶片相同的手段方法,则可想到存在晶片产生应变而对曝光精度造成不良影响的可能。因此,作为晶片的搬送方法,提出一种即使是450毫米晶片也能够采用的搬入方法,该方法中,通过具有伯努利吸盘等的搬送部件从上方以非接触的方式吸引晶片,保持平坦度(平面度),将其搬送到晶片保持器(保持装置)中(例如参照专利文献1)。
但是,作为晶片向晶片载台(晶片保持器)上的搬送方法,在采用上述的通过搬送部件而进行的从上方的非接触方式的吸引的情况下,可能产生难以基于计测结果进行修正的、无法容许程度的、晶片在水平面内的位置偏差(旋转偏差)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开第2010/0297562号说明书
发明内容
作为消除上述晶片的因基于搬送部件从上方的非接触吸引而导致的不良情况的方法,可以想到边通过伯努利吸盘等从上方以非接触的方式吸引晶片,边从下方以支承部件(例如晶片载台上的上下移动销)来支承该晶片。然而,根据发明人的研究,判明如下:在进行晶片的从上方的非接触吸引和从下方的支承并进行晶片向晶片载台上的载入的情况下,即使是300毫米晶片也会产生无法容许的程度的应变的情况。发明人对该晶片的应变原因进行了调查研究,其结果得出了基于晶片中央附近从上下受到约束而造成的过度约束是其主要原因的结论。
根据本发明的第一方式,提供第一吸引装置,对板状的物体以非接触的方式作用吸引力,其具有:基座部件;和多个吸引部件,其设在所述基座部件上,并分别在所述物体周围产生气体的流动而产生对该物体的吸引力,所述多个吸引部件在相互不同的状态下产生所述气体的流动。
由此,能够例如根据各吸引部件在基座部件上的位置,而使多个吸引部件分别产生的对物体的吸引力不同。因此,例如当进行基于支承部从下方对物体的支承、和基于该吸引装置从上方对物体的非接触吸引时,能够使配置于基座部件的与支承部相对的部分上的吸引部件所产生的吸引力比配置于基座部件的不与支承部相对的部分上的吸引部件所产生的吸引力弱。
根据本发明的第二方式,提供第二吸引装置,对板状的物体以非接触的方式作用吸引力,其具有:基座部件;多个气体流通孔,其设在所述基座部件上,分别在所述物体周围产生气体的流动;以及调整装置,其使所述物体变形,边通过经由所述多个气体流通孔的所述气体的流动来保持所述物体,边通过所述调整装置使所述物体变形。
由此,能够边通过经由多个气体流通孔的气体的流动来保持物体,边通过调整装置例如以能够确保所期望程度的平坦度的方式使物体变形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造