[发明专利]负极活性物质及其制造方法以及蓄电装置

权利要求书

1.一种负极活性物质，其特征在于，含有由凝聚粒子和碳层构成的复合体，其中，该凝聚粒子由通过将层状聚硅烷进行热处理而制造的纳米硅构成，所述层状聚硅烷形成由硅原子构成的六元环多个相连的结构且由组成式(SiH)_n表示，该碳层含有非晶质的碳且覆盖该凝聚粒子的至少一部分而被复合化，所述碳层的碳包含来自树脂或来自芳香性杂环化合物的碳，覆盖该凝聚粒子而被复合化的碳层的厚度为1nm～100nm。

2.如权利要求1所述的负极活性物质，其中，所述层状聚硅烷在拉曼光谱中在拉曼位移的341±10cm^-1、360±10cm^-1、498±10cm^-1、638±10cm^-1、734±10cm^-1存在峰。

3.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其中，所述凝聚粒子的纳米硅的微晶尺寸为1nm～50nm，所述微晶尺寸是由X射线衍射测定结果的面(111)的衍射峰的半值宽度通过谢乐公式算出的。

4.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其中，在XRD光谱中，构成所述碳层的碳不具有峰。

5.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其中，所述复合体中含有1～40质量％的碳。

6.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其中，含有基质和分散于该基质的所述凝聚粒子，所述基质含有所述非晶质的碳。

7.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其中，所述碳层的碳含有来自酚醛树脂的碳。

8.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其特征在于，

对所述碳层的碳照射电子束或放射光时产生的X射线发光光谱CKα中，具有在hν＝277.5～279.5eV附近出现峰顶的峰A，并且具有在hν＝279.5～281.0eV附近出现峰顶的峰B，其中，h:普朗克常数，ν:振动数。

9.如权利要求8所述的负极活性物质，其中，所述峰B的高度相对于所述峰A的高度的比为0.92以上。

10.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其特征在于，所述碳层的碳的拉曼光谱中，G带与D带的比即G/D比为0.21以上。

11.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其特征在于，所述复合体为活性物质，所述碳层含有选自过渡金属中的至少一种金属原子。

12.如权利要求11所述的负极活性物质，其中，所述金属原子在所述碳层中含有1～2质量％。

13.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其特征在于，所述复合体为活性物质，所述碳层含有导电性粉末。

14.如权利要求13所述的负极活性物质，其中，所述导电性粉末在所述碳层中含有1～20质量％。

15.如权利要求1或2所述的负极活性物质，其特征在于，

所述复合体为活性物质，在所述复合体的粒子彼此之间，夹存有具有类石墨的碳骨架且90质量％以上由碳构成的纤维状物。

16.如权利要求15所述的负极活性物质，其中，所述纤维状物形成中空筒状且外径为40nm以上。

17.如权利要求1所述的负极活性物质，其中，所述凝聚粒子是将多片板状硅体在厚度方向层叠而成的。

18.如权利要求17所述的负极活性物质，其中，所述板状硅体的厚度为20nm～50nm，长轴方向的长度为0.1μm～50μm。