[发明专利]包括与过孔结合的精细间距背面金属再分布线的互连结构

权利要求书

1.一种互连装置，包括：

半导体基板，所述半导体基板具有正面和背面；

过孔，所述过孔从正面延伸至背面；

再分布层RDL，所述再分布层形成于背面和所述过孔之上；

第一钝化层，所述第一钝化层直接接触所述RDL的侧表面；

第二钝化层，所述第二钝化层被置于所述背面和所述RDL之间；

阻隔层，所述阻隔层在所述RDL和所述过孔之间；以及

籽晶层，所述籽晶层在所述阻隔层和所述RDL之间，所述籽晶层和所述RDL包括导电材料；

其中，所述阻隔层和籽晶层与所述过孔垂直对准并且在所述过孔与所述RDL之间，使得垂直轴与所述RDL、所述过孔、所述阻隔层以及所述籽晶层相交，

其中所述过孔还包括：

绝缘衬垫层，所述绝缘衬垫层直接接触所述过孔的侧表面；

第二阻隔层，所述阻隔层在所述过孔中，并直接接触所述绝缘衬垫；以及

导电金属，所述导电金属充填所述过孔。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一钝化层直接接触所述RDL的顶面。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第二钝化层在所述第一钝化层下。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一钝化层包括碳化硅和氮化硅中的至少一项，而所述第二钝化层包括碳化硅和氮化硅中的至少一项。

5.如权利要求3所述的装置，还包括：

焊盘阵列，所述焊盘阵列以一系列行和列的方式被排布在所述背面之上；

包括所述过孔的穿硅过孔TSV的阵列，所述阵列被排布在所述背面之下，从而使得所述TSV阵列不是直接在所述焊盘阵列底下；以及

多个RDL，所述多个RDL在所述焊盘的两行之间，将所述两行中的一行连接至所述TSV阵列中的对应数量的TSV。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述焊盘的两行由10μm至500μm的间距隔开，并且彼此相邻，在所述两行之间没有其他焊盘行。

7.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述RDL包括具有两个RDL侧壁以及RDL线宽的图案化RDL线，所述RDL线宽小于5微米、与所述两个RDL侧壁正交、并在所述两个RDL侧壁之间伸展。

8.如权利要求2所述的装置，包括表面抛光层，所述表面抛光层a在所述RDL的接触焊盘部分上垂直对准并且b垂直偏离所述过孔。

9.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一和第二钝化层牢牢地封闭所述基板。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一钝化层与所述过孔垂直对准，使得所述垂直轴与所述第一钝化层和所述过孔相交。