[发明专利]为嵌入式电阻器形成可调温度系数的方法

权利要求书

1.一种形成电阻器结构的方法，包括：

在位于器件衬底上并且邻近源极开口/漏极开口的电阻器材料中形成开口；

对所述电阻器材料的在所述开口中的部分进行掺杂，其中，所述电阻器材料的与经掺杂的部分邻近的一部分保持未掺杂；

在未掺杂的电阻器部分与所述源极开口/漏极开口之间形成电介质材料；

更改经掺杂的电阻器材料，其中，所述电阻器材料的温度系数通过所述更改而被调节；以及

邻近经掺杂的电阻器部分形成触点材料，并且在所述源极开口/漏极开口中形成所述触点材料。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，在形成所述触点材料之后，通过图案化和蚀刻所述经掺杂的电阻器的一部分来更改所述电阻器材料的温度系数，其中，通过调整所述经掺杂的电阻器材料的长度来调节所述温度系数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，将氧化物材料布置在所述电阻器结构的顶部部分上。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，电阻器材料包括多晶硅材料，并且其中，所述掺杂包括硼掺杂。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，通过在所述经掺杂的电阻器材料的顶部部分上形成所述触点材料的一部分来更改所述电阻器材料的温度系数，其中，通过调整所述触点材料的厚度来调节所述温度系数。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，邻近所述电阻器材料形成所述触点材料，以在所述电阻器开口中形成电阻器触点，并且其中，所述触点材料在源极开口/漏极开口中形成源极触点/漏极触点，并且其中，同时形成所述电阻器触点和所述源极触点/漏极触点。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，通过在所述经掺杂的电阻器材料上形成温度系数高于所述经掺杂的电阻器材料的温度系数的电阻材料以形成复合电阻器结构来更改所述经掺杂的电阻器材料的所述温度系数。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，调整所述经掺杂的电阻器材料与所述温度系数高于所述经掺杂的电阻器材料的温度系数的电阻材料的比，以调节所述复合电阻器材料的电阻温度系数。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括，其中，所述温度系数高于所述经掺杂的电阻器材料的温度系数的电阻材料包括钨、镍和钴中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，在形成所述源极触点/漏极触点之前，邻近所述源极开口/漏极开口形成金属栅极。

11.根据权利要求6所述的方法，进一步包括，其中，所述电阻器触点包括直角L形状。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，所述源极触点/漏极触点包括多栅晶体管的一部分。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，其中，所述电阻器的电阻温度系数包括约零ppm/℃。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述源极触点/漏极触点之前去除所述电阻器材料的未掺杂的部分。

15.一种形成电阻器结构的方法，包括：

在位于器件衬底上并且邻近源极开口/漏极开口的第一电阻器材料的一部分中形成凹陷；

在所述第一电阻器材料与所述源极开口/漏极开口之间形成电介质材料；

邻近所述源极开口/漏极开口形成金属栅极；

去除邻近所述电介质材料的所述第一电阻器材料；

在所述凹陷中形成第二电阻器材料，其中，选择所述第二电阻器材料以调节所述电阻器结构的电阻温度系数；以及

在所述第二电阻器材料上形成电介质材料。