[发明专利]为嵌入式电阻器形成可调温度系数的方法

说明书

说明了形成具有可调电阻温度系数的电阻器结构的方法。这些方法和结构可以包括在器件衬底上的源极开口/漏极开口附近的电阻器材料中形成开口，在电阻器材料与源极开口/漏极开口之间形成电介质材料，及更改电阻器材料，其中，借助更改调节电阻器材料的电阻温度系数(TCR)。更改包括调整电阻器的长度，形成复合电阻器结构，及形成替换电阻器。

背景技术

随着微电子技术向更高的性能发展，器件尺寸在缩小，这在制造最佳性能的器件特征时成为难题。例如，由于接触面积的代际减小，尺寸缩小增大了多晶硅电阻器的接触电阻。高接触电阻可以引起多晶硅电阻器的更大电阻变化和减小的电阻温度系数(TCR)。另外，随着器件架构变得更为直立，例如在三维晶体管结构的情况下，例如FINFET，或者其他多栅晶体管器件，电阻器结构的接触面积的缩小变得更为重要。

附图说明

尽管说明书作出了结论，权利要求书特别指出并明确要求了特定实施例，但在结合附图阅读时，依据本发明的以下说明可以更易于确定这些实施例的优点，在附图中：

图1a-1h表示根据多个实施例的结构的横截面视图。

图2a-2h表示根据实施例的结构的横截面视图。

图3a-3h表示根据实施例的结构的横截面视图。

图4a-4h表示根据实施例的结构的横截面视图。

图5表示根据实施例的系统的横截面视图。

图6表示根据实施例的系统的示意图。

具体实施方式

在以下的详细说明中参考了附图，附图示例性地显示了可以实践方法和结构的特定实施例。足够详细地说明了这些实施例，以使得本领域技术人员能够实践实施例。会理解，尽管不同，但多个实施例不一定是相互排斥的。例如，在不脱离实施例的精神和范围的情况下，本文结合一个实施例所述的特定特征、结构或特性可以在其他实施例中实施。另外，会理解，在不脱离实施例的精神和范围的情况下，可以修改单个元件在每一个公开的实施例内的位置或布置。以下的详细说明因此不应视为限制性意义的，实施例的范围仅由适当解释的所附权利要求书连同授予权利要求书的等效替代的全部范围来限定。在附图中，相似的编号可以在全部几个附图中指代相同或相似的功能。

说明了形成并利用微电子结构的方法及相关结构，例如包括应变的源/漏结构的器件结构。这些方法/结构可以包括在器件衬底上的源极开口/漏极开口附近的电阻器材料中形成开口，在电阻器材料与源极开口/漏极开口之间形成电介质材料，及更改电阻器材料，其中，借助更改调节电阻器材料的电阻温度系数(TCR)。更改包括调整电阻器的长度，形成复合电阻器结构，及形成替换电阻器。随后可以形成电阻器邻近的和在源极开口/漏极开口中的触点材料。本文的实施例实现了TCR的调节，其实现了具有零TCR值的精密电阻器。

图1a-1h示出了形成微电子结构的实施例的视图，例如可调TCR电阻器结构，其中通过调整多晶硅长度来调节TCR。在实施例中，器件100可以包括衬底部分108(图1a)。在实施例中，衬底104可以包括硅、无硅材料、单晶硅材料、多晶硅材料、压电材料、III-V族材料和/和其他机电衬底材料的至少一个。在实施例中，器件100可以包括平面晶体管、例如三栅和/或finFET晶体管的多栅晶体管和纳米线结构的一部分。

器件100可以进一步包括栅极结构105，其可以包括晶体管栅极结构105，例如平面、多栅极，或者纳米线晶体管结构的一部分。在实施例中，栅极结构105可以包括未掺杂的多晶硅。栅极结构105可以进一步包括源极开口/漏极开口112，其布置在栅极结构105附近。源极区/漏极区110可以布置在衬底108中，并可以与栅极结构105相邻。