[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380079311.5 申请日: 2013-09-04
公开(公告)号: CN105493267B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 高久悟 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/28;H05K9/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 王潇悦;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

形成有第1接触部的基板;

下部屏蔽板,其使用了在所述基板上以避开所述第1接触部的方式设置的磁性体;

半导体芯片,其在所述下部屏蔽板上设置并具有与所述第1接触部电连接的第2接触部;

连接件,其将所述第1接触部与所述第2接触部电连接;

上部屏蔽板,其使用了在所述半导体芯片上以避开所述第2接触部和所述连接件的方式设置的磁性体;和

侧部屏蔽材料,其使用了将所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板的没有配置所述连接件的侧部连接的磁性体。

2.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,

在形成有第1接触部的基板上,以避开所述第1接触部的方式,设置使用了沿第1方向延伸的磁性体的下部屏蔽板,

在所述下部屏蔽板上,将具有第2接触部的多个半导体芯片,以所述第1接触部和所述第2接触部对应的方式在所述第1方向上以预定间隔配置,

将所述第1接触部和所述第2接触部通过连接件电连接,

在所述半导体芯片上,以避开所述第2接触部和所述连接件的方式,配置使用了沿所述第1方向延伸的磁性体的上部屏蔽板,

将所述下部屏蔽板、所述半导体芯片、所述连接件和所述上部屏蔽板通过树脂封闭而形成块体,

对得到的所述块体,以避开所述半导体芯片的方式形成沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第1槽,将所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板切断,

在所述第1槽形成侧部屏蔽材料,所述侧部屏蔽材料使用了将所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板连接的磁性体,

以将所述侧部屏蔽材料在所述第1方向分离的方式切断所述块体,将所述半导体芯片单片化。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,通过向所述第1槽填充含有磁性体的树脂,来形成所述侧部屏蔽材料。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,通过对所述第1槽施加使用了磁性体的镀层,来形成所述侧部屏蔽材料。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,通过向所述第1槽配置使用了磁性体的一对板状体并且在两板状体之间填充树脂,来形成所述侧部屏蔽材料。

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