[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

根据实施方式，半导体装置具备：基板、多个绝缘层、下部屏蔽板、半导体器件、上部屏蔽板和侧部屏蔽材料。在基板上形成有第1接触部。下部屏蔽板使用磁性体，所述磁性体在基板上以避开第1接触部的方式设置。半导体芯片被设置在下部屏蔽板上，具有与第1接触部电连接的第2接触部。上部屏蔽板使用磁性体，所述磁性体在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置。侧部屏蔽材料使用磁性体，所述磁性体将下部屏蔽板和上部屏蔽板的没有配置连接件的侧部连接。

技术领域

本说明书所记载的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置之中，有的很容易受到外部磁场的影响。这样的受到磁场影响的半导体装置，通过磁屏蔽件来降低外部磁场的影响，由此可以良好地工作。作为半导体装置所使用的磁屏蔽件，已知例如通过使树脂中含有磁导率高的材料作为填料的电磁波吸收模型树脂，来覆盖半导体芯片的上表面和侧面，由此降低外部磁场对于半导体装置的影响。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2005-217221号

发明内容

本说明书所记载的实施方式提供一种磁屏蔽效果更高的半导体装置及其制造方法。

实施方式涉及的半导体装置具备：基板、下部屏蔽板、半导体芯片、连接件、上部屏蔽板和侧部屏蔽材料。基板上形成有第1接触部。下部屏蔽板使用在基板上以避开第1接触部的方式设置的磁性体。半导体芯片在下部屏蔽板上设置，并具有与第1接触部电连接的第2接触部。连接件将第1接触部和第2接触部电连接。上部屏蔽板使用在半导体芯片上以避开第2接触部和连接件的方式设置的磁性体。侧部屏蔽材料使用将下部屏蔽板和上部屏蔽板的没有配置连接件的侧部连接的磁性体。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。

图2是该半导体装置的概略侧面图。

图3是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图4是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图5是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图6是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图7是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图8是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图9是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图10是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图11是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图12是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图13是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图14是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图15是第2实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。

图16是该半导体装置的概略侧面图。

图17是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图18是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图19是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。

图20是表示该半导体装置的制造方法的概略侧面图。

图21是表示该半导体装置的制造方法的概略俯视图。