[发明专利]半导体元件的制造方法、晶圆安装装置有效
| 申请号： | 201380080265.0 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105637618B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 松村民雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 安装 装置 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：
切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从所述晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的所述环部，该晶圆具有所述第1面、和与所述第1面相反的面即第2面；
粘贴工序，一边使所述平坦晶圆的所述第2面吸附于吸附手部，一边将所述平坦晶圆从所述吸附台分离，将所述第1面粘贴于切割带；以及
切割工序，对被粘贴于所述切割带的所述平坦晶圆进行切割。
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中使用YAG激光器。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，在所述第2面形成水溶性的保护膜后，从所述晶圆将所述环部切除。
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，在利用橡胶环和防尘罩而将所述第2面的中央部覆盖后，从所述晶圆将所述环部切除。
5.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，一边产生从所述第2面的中央部朝向外周部的气流，一边从所述晶圆将所述环部切除。
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，将水喷射至所述激光的照射部分。
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，将所述激光照射至所述中央部和所述环部之间的边界。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380080265.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板运输装置
- 下一篇：具有热熔断器的电紧固件组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
