[发明专利]半导体元件的制造方法、晶圆安装装置

说明书

本发明的特征在于，具有：切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从该晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面；粘贴工序，一边使该平坦晶圆的该第2面吸附于吸附手部，一边将该平坦晶圆从该吸附台分离，将该第1面粘贴于切割带；以及切割工序，对被粘贴于该切割带的该平坦晶圆进行切割。

技术领域

本发明涉及例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等半导体元件的制造方法、以及在该制造方法中使用的晶圆安装装置。

背景技术

在专利文献1中，公开了在FZ晶圆的表面形成晶体管等表面构造后对该晶圆的背面进行磨削的内容。通过该磨削，使晶圆的背面的中央部比外周端部薄。由此，在晶圆的背面的外周端部形成肋部。对磨削后的晶圆实施离子注入及金属电极膜的形成等处理。

专利文献1：日本特开2009－283636号公报

专利文献2：日本特表平10－500903号公报

发明内容

例如，如果将晶圆磨削至成为小于或等于100μm的厚度，则由于电极膜的应力等，导致晶圆翘曲几mm至几十mm。翘曲的晶圆是不能进行输送的。因此，有时通过不对晶圆的外周的几mm的区域进行磨削、将该区域保留，从而设置比晶圆的中央部厚的环部，对晶圆的翘曲进行抑制。

在使用切割刀对晶圆进行切割的情况下，将切割带粘贴于晶圆。但是，如果试图将具有环部的晶圆粘贴于切割带，则存在如下等问题，即，在晶圆和切割带之间产生间隙，有效芯片数(有效半导体元件数)降低。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够对晶圆进行切割而不存在有效芯片数降低等问题的半导体元件的制造方法、以及晶圆安装装置。

本发明所涉及的半导体元件的制造方法的特征在于，具有：切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从该晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的该环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面；粘贴工序，一边使该平坦晶圆的该第2面吸附于吸附手部，一边将该平坦晶圆从该吸附台分离，将该第1面粘贴于切割带；以及切割工序，对被粘贴于该切割带的该平坦晶圆进行切割。

本发明所涉及的晶圆安装装置的特征在于，具有：切断部，其具有吸附台和激光振荡器，该切断部用于形成平坦晶圆，该吸附台对晶圆的第1面进行吸附，在该晶圆的外周形成比中央部厚的环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面，该激光振荡器利用激光从该晶圆将该环部切除；粘贴部，其设置有切割带；以及吸附手部，其一边对该平坦晶圆的该第2面进行真空吸附，一边使该平坦晶圆从该吸附台移动而粘贴于该切割带。

在下面使本发明的其他特征变得明确。

发明的效果

根据本发明，由于在利用激光从晶圆将环部去除而形成平坦晶圆后使平坦晶圆附着于切割带，因此能够无问题地对晶圆进行切割。

附图说明

图1是晶圆的剖视图。

图2是晶圆和吸附台的剖视图。

图3是表示激光振荡器等的图。

图4是表示切断工序后的晶圆的剖视图。

图5是表示将平坦晶圆从吸附台分离这一情况的图。

图6是表示将平坦晶圆粘贴于切割带这一情况的剖视图。

图7是表示被切割构造的剖视图。

图8是表示对平坦晶圆进行切割这一情况的剖视图。