[发明专利]谐振型高频电源装置有效
| 申请号： | 201380080637.X | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105684292B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 阿久泽好幸;酒井清秀;江副俊裕;伊藤有基 | 申请（专利权）人： | 三菱电机工程技术株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48;H02J50/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈力奕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频电源装置 谐振型 功率半导体元件 谐振 匹配滤波器 波形控制 开关电压 开关动作 输出电压 水平调整 | ||
1.一种谐振型高频电源装置，该谐振型高频电源装置包括进行超过2MHz的高频的开关动作以将输入的直流电压转换成交流的FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)，所述谐振型高频电源装置的特征在于，
包括谐振匹配滤波器，该谐振匹配滤波器进行所述FET的开关电压及装置输出电压的波形控制，使得所述FET的漏源极间的峰值电压为所述直流电压的3倍至5倍，且使得作为所述装置输出电压的交流电压的振幅为该漏源极间的电压以上。
2.如权利要求1所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
所述FET为RF(Radio Frequency：射频)用的FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)以外的FET。
3.如权利要求1所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
所述FET为推挽结构或单个结构。
4.如权利要求1所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
包括谐振电路元件，该谐振电路元件在与利用磁场共振的电力传输用发送天线之间使谐振条件匹配，且由电容器及电感器构成。
5.如权利要求1所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
包括谐振电路元件，该谐振电路元件在与利用电场共振的电力传输用发送天线之间使谐振条件匹配，且由电容器及电感器构成。
6.如权利要求1所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
包括谐振电路元件，该谐振电路元件在与利用电磁感应的电力传输用发送天线之间使谐振条件匹配，且由电容器及电感器构成。
7.如权利要求4所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
所述谐振匹配滤波器使所述谐振电路元件的谐振条件可变。
8.如权利要求5所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
所述谐振匹配滤波器使所述谐振电路元件的谐振条件可变。
9.如权利要求6所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
所述谐振匹配滤波器使所述谐振电路元件的谐振条件可变。
10.如权利要求4所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
包括使所述谐振电路元件的谐振条件可变的谐振条件可变电路。
11.如权利要求5所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
包括使所述谐振电路元件的谐振条件可变的谐振条件可变电路。
12.如权利要求6所述的谐振型高频电源装置，其特征在于，
包括使所述谐振电路元件的谐振条件可变的谐振条件可变电路。
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