[发明专利]谐振型高频电源装置

说明书

谐振型高频电源装置包括进行超过2MHz的高频的开关动作的功率半导体元件，所述谐振型高频电源装置包括进行功率半导体元件的开关电压谐振水平调整及输出电压的波形控制的谐振匹配滤波器(4)。

技术领域

本发明涉及在高频下进行电力传输的谐振型高频电源装置。

背景技术

在图8所示的以往的谐振型高频电源装置中，构成为利用并联连接在功率半导体元件(FET)101的漏源间的电感器102及电容器103，即使在FET101的寄生电容104较大的情况下也能维持FET101的谐振开关的条件(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013-30973号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在专利文献1公开的现有技术中，由于设定成可相对于FET101的寄生电容104维持谐振开关的条件，因此，对于与输出连接的负载的阻抗变动，无法进行补偿。因此，存在如下问题：若作为负载，无线电力传输用天线等具有谐振条件的阻抗元件靠近或远离，则谐振开关的条件会破坏。而且，若谐振开关的条件破坏，则FET等的电力损耗急剧增加，因此需要包括用于应对该情况的散热装置。此外，在现有技术中，还存在如下问题：对于输出电压的波形控制也未考虑，无法实现电力传输的高效化。

本发明为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种谐振型高频电源装置，能相对于负载的阻抗变动维持谐振开关的条件，并进行输出电压的波形控制，能实现超过2MHz的高频的动作。

解决技术问题的技术方案

本发明所涉及的谐振型高频电源装置包括进行超过2MHz的高频的开关动作的功率半导体元件，所述谐振型高频电源装置包括进行功率半导体元件的开关电压及装置输出电压的波形控制的谐振匹配滤波器。

发明效果

根据本发明，由于采用上述结构，因此，能相对于负载的阻抗变动维持谐振开关的条件，并进行输出电压的波形控制，能实现超过2MHz的高频的动作。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的结构的图(功率半导体元件为单个结构)。

图2是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的Vds波形和Vout波形的图。

图3是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其它结构的图。

图4是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其它结构的图。

图5是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其它结构的图(功率半导体元件为推挽结构)。

图6是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其它结构的图(设置有谐振条件可变型谐振匹配滤波器的情况)。

图7是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的其它结构的图(设置有谐振条件可变电路的情况)。

图8是表示以往的谐振型高频电源装置的结构的图。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。

实施方式1

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的谐振型高频电源装置的结构的图。另外，图1中示出功率半导体元件Q1为单个结构的情况的电路。