[发明专利]异质层器件

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括NMOS器件的N层，所述NMOS器件具有全都与平行于衬底的第一水平轴相交的N沟道、源极和漏极；

包括PMOS器件的P层，所述PMOS器件具有全都与平行于所述衬底的第二水平轴相交的P沟道、源极和漏极；

对应于所述N沟道的第一栅极，所述第一栅极与所述第二水平轴相交；以及

对应于所述P沟道的第二栅极，所述第二栅极与所述第一水平轴相交。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述N层和所述P层包括第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料均选自于包括Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族的组。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述N层和所述P层彼此晶格失配。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一栅极在所述N沟道的正上方和正下方，并且所述第二栅极在所述P沟道的正上方和正下方。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述N层和所述P层中的至少一个包括有组织的单晶晶格，所述N层和所述P层中的所述至少一个的底表面直接接触氧化物的顶表面，并且所述氧化物在所述衬底与所述N层和所述P层中的所述至少一个之间。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述N层和所述P层中的至少一个被转移到所述装置，并且不在所述装置上生长。

7.根据权利要求1所述的装置，包括与所述衬底正交的第一竖直轴以及与所述衬底正交的第二竖直轴，所述第一竖直轴与所述第一栅极和所述N沟道相交，所述第二竖直轴与所述第二栅极和所述P沟道相交。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，绝缘体部分直接接触所述N层和所述P层两者。

9.一种半导体装置，包括：

包括NMOS器件的N层，所述NMOS器件具有全都与正交于衬底的第一竖直轴相交的N沟道、第一源极和第一漏极；

包括PMOS器件的P层，所述PMOS器件具有全都与平行于衬底的第二竖直轴相交的P沟道、第二源极和第二漏极；

环绕所述N沟道、直接接触第一绝缘层的第一栅极；

环绕所述P沟道、直接接触第二绝缘层的第二栅极；

直接接触所述第一绝缘层和所述P层的第一接触部；以及

直接接触所述第二绝缘层和所述N层的第二接触部。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第一源极和所述第一漏极中的一个在所述第一绝缘层上方延伸，并且所述第一源极和所述第一漏极中的另一个在所述第一绝缘层下方延伸。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述第二源极和所述第二漏极中的一个在所述第二绝缘层上方延伸，并且所述第二源极和所述第二漏极中的另一个在所述第二绝缘层下方延伸。

12.根据权利要求9所述的装置，其中，(a)所述N层和所述P层中的至少一个包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第二子层直接接触所述第一子层和所述第三子层，并且(b)所述第二子层与所述第一子层和所述第三子层中的至少一个被不相等地掺杂。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述N沟道和所述P沟道中的至少一个包括所述第二子层的一部分，所述第一源极和所述第二源极中的至少一个包括所述第一子层的一部分，并且所述第一漏极和所述第二漏极中的至少一个包括所述第三子层的一部分。

14.根据权利要求9所述的装置，包括平行于所述衬底、与所述N沟道和所述第二接触部相交的第一水平轴。

15.根据权利要求14所述的装置，包括平行于所述衬底、与所述P沟道和所述第一接触部相交的第二水平轴。