[其他]供串联基板处理工具中使用的门和包括所述门的串联基板处理工具有效
申请号: | 201390000749.5 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN204809191U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 戴维·K·卡尔森;迈克尔·R·赖斯;卡尔蒂克·B·沙阿;卡什夫·马克苏德;普拉文·K·纳万克尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串联 处理 工具 使用 包括 | ||
1.一种供串联基板处理工具中使用的门,所述门位于成线性排列耦接至彼此的第一基板处理模块与第二基板处理模块之间,其特征在于,所述门包括:
反射体,所述反射体设置在实质透明材料的两个盖板之间,所述反射体被配置成将光和热能反射至所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块的每一个中,
其中所述门是选择性地可移动的,所述门经由耦接至所述门的致动器在流体耦接所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块的打开位置与使所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块隔离的关闭位置之间移动。
2.如权利要求1所述的门,其特征在于,当处于所述关闭位置时,所述门与所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块形成密封,这种密封防止所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块之间工艺气体的交叉污染或混合。
3.如权利要求1至2中任一项所述的门,其特征在于,所述反射体由反射材料或涂有反射涂层的非反射材料之一制成。
4.如权利要求1至2中任一项所述的门,其特征在于,所述反射体是涂有反射镀镍的石英材料。
5.如权利要求1至2中任一项所述的门,其特征在于,所述反射体是反射金属。
6.如权利要求5所述的门,其特征在于,所述反射金属是镍、金或银的一种。
7.一种串联基板处理工具,其特征在于,所述串联基板处理工具包括:
基板载体,所述基板载体具有底座和一对相对的基板支撑件;
第一基板处理模块和第二基板处理模块,所述基板处理模块成线性排列耦接至彼此,所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块各自包括壳体,所述壳体具有第一端、第二端和下表面,所述下表面用来支撑所述基板载体和为所述基板载体提供线性移动穿过所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块的路径;
门,所述门设置在所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块之间,以使所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块彼此隔离,所述门包括反射体,所述反射体设置在实质透明材料的两个盖板之间,所述反射体被配置成将辐射热反射回到所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块的每一个中,其中所述门可选择性地从流体耦接所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块的打开位置移动至使所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块隔离的关闭位置;和
致动器,所述致动器耦接至所述门以在所述打开位置与所述关闭位置之间选择性地移动所述门。
8.如权利要求7所述的串联基板处理工具,其特征在于,当处于所述关闭位置中时,所述门与所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块形成密封,这种密封防止所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块之间工艺气体的交叉污染或混合。
9.如权利要求7所述的串联基板处理工具,其特征在于,所述第一基板处理模块进一步包括加热灯,所述加热灯耦接至所述壳体的一侧以将辐射热提供至所述壳体中。
10.如权利要求9所述的串联基板处理工具,其特征在于,所述第一基板处理模块进一步包括:
气体入口,所述气体入口设置在所述壳体的顶部附近,以将工艺气体提供至所述壳体中,和
排气装置,所述排气装置设置成与所述气体入口相对,以从所述壳体移除所述工艺气体。
11.如权利要求10所述的串联基板处理工具,其特征在于,所述气体入口包括一组喷气孔,所述喷气孔配置成将净化气体幕帘提供至所述门附近和所述壳体壁附近的所述壳体中,其中当设置在所述第一基板处理模块内时,所述净化气体幕帘围绕所述基板载体。
12.如权利要求7至11中任一项所述的串联基板处理工具,其特征在于,所述反射体由反射材料或涂有反射涂层的非反射材料之一制成。
13.如权利要求7至11中任一项所述的串联基板处理工具,其特征在于,所述反射体是涂有反射镀镍的石英材料。
14.如权利要求7至11中任一项所述的串联基板处理工具,其特征在于,所述反射体是反射金属。
15.如权利要求14所述的串联基板处理工具,其特征在于,所述反射金属是镍、金或银的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造