[其他]供串联基板处理工具中使用的门和包括所述门的串联基板处理工具

说明书

技术领域

本实用新型的实施方式大体涉及半导体处理装备，且更具体地说，涉及太阳能电池制造的装备和技术，诸如高效率单晶外延膜沉积装备。

背景技术

非晶和多晶太阳能电池在将光转换为能量的效率方面受到限制。单晶高迁移率材料能够具有高得多的效率，但通常昂贵得多。传统装备专为半导体应用设计，其中具有苛刻的要求，并涉及非常高的成本。然而，这些系统都具有高成本且无法实现高产量自动化。

为了以高产量实现光伏应用方面非常低成本的外延沉积，本创造者认为，需要从根本上改变，而不是简单地使每个事物更大。例如，本创造者已经观察到，由于材料、消耗品的高成本和自动化挑战，分批处理反应器在产量上受限。还需要氢、氮、水和前驱物的非常高的流率(flowrate)。此外，当生长厚膜时产生大量的有害副产物。

针对外延工艺已经尝试了很多次连续反应器，但这些连续反应器从来没有生产价值，也没有实现良好的前驱物使用。主要问题是劣质的膜质量和过度保养。

在另一方面，单晶片反应器对前驱物和功率(电)具有非常低效的利用率和具有较低的每晶片产量。再加上单晶片反应器需要复杂的基板升降/旋转机构。因此，尽管单晶片反应器可以具有非常高的质量、低金属污染水平以及良好的厚度均匀性和电阻率，但是获得这些结果的每晶片成本非常高。

因此，本创造者提供了一种基板处理工具的实施方式，所述基板处理工具可以提供高前驱物利用率、简单的自动化、低成本以及具有高产量和工艺质量的相对简单的反应器设计中的一些或全部。

实用新型内容

本文提供一种供串联(inline)基板处理工具中使用的设备。在一些实施方式中，位于成线性排列耦接至彼此的第一基板处理模块与第二基板处理模块之间供串联基板处理工具中使用的门可包括反射体，所述反射体设置在实质透明材料的两个盖板之间，所述反射体被配置成将光和热能反射至第一基板处理模块和第二基板处理模块的每一个中，其中门是选择性地可移动的，所述门经由耦接至门的致动器在流体耦接第一基板处理模块和第二基板处理模块的打开位置与使第一基板处理模块与第二基板处理模块隔离的关闭位置之间移动。

当处于所述关闭位置时，所述门与所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块形成密封，这种密封防止所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块之间工艺气体的交叉污染或混合。所述反射体可由反射材料或涂有反射涂层的非反射材料之一制成。所述反射体可以是涂有反射镀镍的石英材料。所述反射体可以是反射金属。所述反射金属可以是镍、金或银的一种。

在一些实施方式中，串联基板处理工具可包括：基板载体，所述基板载体具有底座和一对相对的基板支撑件；第一基板处理模块和第二基板处理模块，所述基板处理模块成线性排列耦接至彼此，第一基板处理模块和第二基板处理模块各自包括壳体，所述壳体具有第一端、第二端和下表面，所述下表面用来支撑基板载体并为基板载体提供线性移动穿过第一基板处理模块和第二基板处理模块的路径；门，所述门设置在第一基板处理模块与第二基板处理模块之间，以使第一基板处理模块与第二基板处理模块彼此隔离，所述门包括反射体，所述反射体设置在实质透明材料的两个盖板之间，反射体被配置成将辐射热反射回到第一基板处理模块和第二基板处理模块的每一个中，其中门可选择性地从流体耦接第一基板处理模块和第二基板处理模块的打开位置移动至使第一基板处理模块与第二基板处理模块隔离的关闭位置；和致动器，所述致动器耦接至门以在打开位置与关闭位置之间选择性地移动门。

当处于所述关闭位置中时，所述门与所述第一基板处理模块和所述第二基板处理模块形成密封，这种密封防止所述第一基板处理模块与所述第二基板处理模块之间工艺气体的交叉污染或混合。所述第一基板处理模块进一步包括加热灯，所述加热灯耦接至所述壳体的一侧以将辐射热提供至所述壳体中。所述第一基板处理模块进一步包括：气体入口，所述气体入口设置在所述壳体的顶部附近，以将工艺气体提供至所述壳体中，和排气装置，所述排气装置设置成与所述气体入口相对，以从所述壳体移除所述工艺气体。所述气体入口包括一组喷气孔，所述喷气孔配置成将净化气体幕帘提供至所述门附近和所述壳体壁附近的所述壳体中，其中当设置在所述第一基板处理模块内时，所述净化气体幕帘围绕所述基板载体。所述反射体可由反射材料或涂有反射涂层的非反射材料之一制成。所述反射体可以是涂有反射镀镍的石英材料。所述反射体可以是反射金属。所述反射金属可以是镍、金或银的一种。

在下文中描述本实用新型的其他和进一步的实施方式。

附图说明