[发明专利]影像传感器有效
申请号: | 201410002054.1 | 申请日: | 2014-01-02 |
公开(公告)号: | CN104767946B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 林东龙;李仲仁;张中玮 | 申请(专利权)人: | 恒景科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,王英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 | ||
1.一种影像传感器,包含有:
M像素共享电路,其中M是不小于2的整数;
N像素共享电路,其中N是不小于2的整数;以及
切换单元,耦接于所述M像素共享电路的浮动扩散节点和所述N像素共享电路的浮动扩散节点之间;
其中所述切换单元用来将所述M像素共享电路的感测结果传送至所述N像素共享电路,并且藉由所述N像素共享电路输出所述M像素共享电路的所述感测结果;
其中所述切换单元还用来将所述N像素共享电路的感测结果传送至所述M像素共享电路,并且藉由所述M像素共享电路输出所述N像素共享电路的所述感测结果。
2.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述切换单元交替地传送所述M像素共享电路的所述感测结果和所述N像素共享电路的所述感测结果。
3.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述切换单元用来交替地将所述M像素共享电路的所述感测结果传送至所述N像素共享电路,以及防止所述M像素共享电路的所述感测结果被传送至所述N像素共享电路。
4.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述M像素共享电路包含有:
第一光电二极管;
第二光电二极管;
第一晶体管,其源极耦接至所述第一光电二极管;
第二晶体管,其源极耦接至所述第二光电二极管;
第三晶体管,其源极耦接至所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极;以及
源极跟随器,耦接至所述第三晶体管的所述源极、所述第一晶体管的所述漏极以及所述第二晶体管的所述漏极。
5.如权利要求4所述的影像传感器,其中所述M像素共享电路还包含有:
第四晶体管,其漏极耦接至所述源极跟随器。
6.如权利要求4所述的影像传感器,其中所述M像素共享电路还包含有:
第三光电二极管;
第四光电二极管;
第四晶体管,其源极耦接至所述第三光电二极管;以及
第五晶体管,其源极耦接至所述第四光电二极管;
其中所述第三晶体管的源极耦接至所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极以及所述第五晶体管的漏极;以及所述源极跟随器耦接至所述第三晶体管的所述源极、所述第一晶体管的所述漏极、所述第二晶体管的所述漏极、所述第四晶体管的所述漏极以及所述第五晶体管的所述漏极。
7.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述N像素共享电路包含有:
第一光电二极管;
第二光电二极管;
第一晶体管,其源极耦接至所述第一光电二极管;
第二晶体管,其源极耦接至所述第二光电二极管;
第三晶体管,其源极耦接至所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极;以及
源极跟随器,耦接至所述第三晶体管的所述源极、所述第一晶体管的所述漏极以及所述第二晶体管的所述漏极。
8.如权利要求7所述的影像传感器,其中所述N像素共享电路还包含有:
第四晶体管,其漏极耦接至所述源极跟随器。
9.如权利要求7所述的影像传感器,其中所述N像素共享电路还包含有:
第三光电二极管;
第四光电二极管;
第四晶体管,其源极耦接至所述第三光电二极管;以及
第五晶体管,其源极耦接至所述第四光电二极管;
其中所述第三晶体管的源极耦接至所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极以及所述第五晶体管的漏极;以及所述源极跟随器耦接至所述第三晶体管的所述源极、所述第一晶体管的所述漏极、所述第二晶体管的所述漏极、所述第四晶体管的所述漏极以及所述第五晶体管的所述漏极。
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