[发明专利]半导体存储器件、操作其的方法和包括其的存储系统

权利要求书

1.一种通过接收外部电源电压来操作的半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

存储块，所述存储块与漏极选择线、源极选择线、以及布置在所述漏极选择线和所述源极选择线之间的多个字线耦合；

驱动电路，所述驱动电路适用于对与所述多个字线之中的选中的字线耦合的存储器单元执行编程操作；

电压检测器，所述电压检测器适用于监控所述外部电源电压，以及在所述外部电源电压降低至小于参考电压电平时产生检测信号；以及

电压发生器，所述电压发生器适用于接收所述外部电源电压和产生内部电源电压，

其中，在所述编程操作期间，当所述外部电源电压降低至小于所述参考电压电平时，所述驱动电路响应于所述检测信号而将施加给执行所述编程操作的所述存储块的所述漏极选择线的电压放电，以及

其中，当所述外部电源电压处于第一电压电平和第二电压电平之间时，所述电压发生器产生具有目标电平的内部电源电压，并且所述参考电压电平低于所述第一电压电平而高于所述第二电压电平。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述内部电源电压被供应到所述驱动电路。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述驱动电路包括行译码器，所述行译码器控制所述漏极选择线、所述源极选择线和所述多个字线。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，在所述编程操作期间，所述行译码器响应于块地址来偏置所述漏极选择线，以将与所述漏极选择线耦合的漏极选择晶体管导通，并且

所述行译码器响应于所述检测信号而将所述漏极选择线放电。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述存储块包括：

漏极选择晶体管，所述漏极选择晶体管共同耦合到所述漏极选择线；

源极选择晶体管，所述源极选择晶体管共同耦合到所述源极选择线；以及

成组的多个存储器单元，其中，存储器单元的组分别被布置在所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管之间且与所述多个字线耦合。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，相应的存储器单元的组通过所述漏极选择晶体管而耦合到位线，

所述驱动电路包括与所述位线耦合的读写电路，并且

当所述漏极选择晶体管被导通时，与所述选中的字线耦合的存储器单元被来自所述读写电路的经由所述位线传送的数据编程。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，当产生所述检测信号时，所述漏极选择晶体管关断。

8.一种操作半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括：成组的多个存储器单元、与相应的存储器单元的组相对应的字线、以及与相应的存储器单元的组相对应的位线，所述方法包括以下步骤：

利用外部电源电压来产生内部电源电压；

通过使用所述内部电源电压、利用经由所述位线传送的数据来对与所述字线之中的选中的字线耦合的存储器单元执行编程操作；以及

在所述编程操作期间，当所述外部电源电压降低至低于参考电压电平时，将相应的存储器单元的组从所述位线断开。

9.如权利要求8所述的方法，其中，当所述外部电源电压处于第一电压电平和第二电压电平之间时，所述内部电源电压产生为具有目标电平，并且

所述参考电压电平低于所述第一电压电平而高于所述第二电压电平。

10.如权利要求9所述的方法，其中，当所述外部电源电压处于所述第一电压电平和所述第二电压电平之间时，所述半导体存储器件定义为正常状态，并且

当所述外部电源电压低于所述第二电压电平时，所述半导体存储器件定义为断电状态。

11.如权利要求8所述的方法，其中，执行所述编程操作包括：将耦合在所述存储器单元的组与所述位线之间的漏极选择晶体管分别导通，并且

将所述存储器单元的组从所述位线断开包括：将所述漏极选择晶体管关断。