[发明专利]半导体存储器件、操作其的方法和包括其的存储系统

说明书

根据本发明实施例的半导体存储器件包括：存储块；驱动电路，对存储器单元执行编程操作；以及电压检测器，当外部电源电压降低至小于参考电压电平时产生检测信号。驱动电路响应于检测信号而在编程操作期间将施加给漏极选择线的电压放电。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年9月2日提交的申请号为10-2013-0104816的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各个示例性实施例总体而言涉及电子器件，且更具体而言，涉及半导体存储器件、操作所述半导体存储器件的方法和包括所述半导体存储器件的存储系统。

背景技术

半导体存储器件是使用由例如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP）制成的半导体来实现的存储器件。半导体存储器件分成易失型存储器件和非易失型存储器件。

易失性存储器件在电源断电时不能保留储存的数据。易失性存储器件的例子可以包括：静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）、同步动态随机存取存储器（SDRAM）等。非易失性存储器件可以保留储存的数据而与电源开/关条件无关。非易失性存储器件的例子包括：只读存储器（ROM）、屏蔽式只读存储器（MROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、快闪存储器、相变随机存取存储器（PRAM）、磁性随机存取存储器（MRAM）、阻变随机存取存储器（RRAM）、铁电随机存取存储器（FRAM）等。快闪存储器分成NOR型和NAND型存储器。

半导体存储器件通过接收用于操作的外部电源电压来操作。当正在供应的外部电源电压突然中断时，半导体存储器件停止操作。例如，当在编程操作期间切断外部电源电压的供应时，半导体存储器件可能不能正确地完成编程操作。

发明内容

本发明的示例实施例针对具有改善的可靠性的半导体存储器件、操作所述半导体存储器件的方法和包括所述半导体存储器件的存储系统。

根据本发明的一个实施例的半导体存储器件可以包括：存储块，与漏极选择线、源极选择线、以及布置在漏极选择线和源极选择线之间的多个字线耦合；驱动电路，适用于利用外部电源电压来对与所述多个字线之中的选中的字线耦合的存储器单元执行编程操作；以及电压检测器，适用于监控外部电源电压以及在所述外部电源电压降低至小于参考电压电平时产生检测信号，其中，驱动电路响应于检测信号而在编程操作期间将施加给漏极选择线的电压放电。

根据本发明的另一个实施例的操作半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括成组的多个存储器单元、与相应的存储器单元的组相对应的字线、以及与相应的存储器单元的组相对应的位线，所述方法可以包括以下步骤：利用外部电源电压来产生内部电源电压；通过使用内部电源电压、利用经由位线传送的数据来对与字线之中的选中的字线耦合的存储器单元执行编程操作；以及在编程操作期间，当外部电源电压降低至低于参考电压电平时，将相应的存储器单元的组从位线断开。

根据本发明的又一个实施例的存储系统可以包括：半导体存储器件，适用于利用外部电源电压来操作；以及控制器，适用于将编程请求传送给半导体存储器件，其中，所述半导体存储器件包括：存储块，包括成组的多个存储器单元、与相应的存储器单元的组相对应的字线、以及与相应的存储器单元的组相对应的位线；驱动电路，适用于响应于编程请求而对与字线之中的选中的字线耦合的存储器单元执行编程操作；以及电压检测器，适用于监控外部电源电压以及在外部电源电压降低至低于参考电压电平时产生检测信号，其中，在编程操作期间将电压施加给漏极选择线以将相应的存储器单元的组耦合到位线，而驱动电路响应于检测信号而将施加给漏极选择线的电压放电。