[发明专利]芯片内部电压的监测电路及系统有效
| 申请号： | 201410005707.1 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103713182A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 内部 电压 监测 电路 系统 | ||
1.一种芯片内部电压的监测电路，其特征在于，包括选择单元、电压输出单元和公共焊盘，其中，
所述选择单元适于选择所述芯片内部的正电压或负电压输出至所述电压输出单元；
所述电压输出单元适于将所述选择单元输出的电压输出至所述公共焊盘，并阻止所述公共焊盘上的电压输入所述芯片的内部。
2.根据权利要求1所述的芯片内部电压的监测电路，其特征在于，所述芯片包括至少两个正电压和至少两个负电压，所述选择单元包括第一选择单元和第二选择单元；
所述第一选择单元适于选择所述至少两个负电压中的一个负电压输出至所述电压输出单元；
所述第二选择单元适于在所述第一选择单元未输出负电压至所述电压输出单元时选择所述至少两个正电压中的一个正电压输出至所述电压输出单元。
3.根据权利要求2所述的芯片内部电压的监测电路，其特征在于，所述电压输出单元包括第一MOS管和第二MOS管；
所述第一MOS管的栅极接地，所述第一MOS管的第一电极与衬底相连并适于接收所述第一选择单元输出的负电压，所述第一MOS管的第二电极连接所述公共焊盘；
所述第二MOS管的栅极接地，所述第二MOS管的第一电极与衬底相连并适于接收所述第二选择单元输出的正电压，所述第一MOS管的第二电极连接所述公共焊盘。
4.根据权利要求3所述的芯片内部电压的监测电路，其特征在于，所述第一MOS管为NMOS管，所述第一MOS管的第一电极为NMOS管的源极，所述第一MOS管的第二电极为NMOS管的漏极；
所述第二MOS管为PMOS管；所述第二MOS管的第一电极为PMOS管的源极，所述第一MOS管的第二电极为PMOS管的漏极。
5.根据权利要求4所述的芯片内部电压的监测电路，其特征在于，所述第一MOS管为深N阱NMOS管。
6.根据权利要求5所述的芯片内部电压的监测电路，其特征在于，所述第一MOS管的深N阱适于接收所述芯片的电源电压。
7.根据权利要求1所述的芯片内部电压的监测电路，其特征在于，所述芯片内部的正电压或负电压为所述芯片内部线路上的电压。
8.一种芯片内部电压的监测系统，其特征在于，包括：
权利要求1-7任一项权利要求所述的芯片内部电压的监测电路；
电压检测单元，适于读取所述公共焊盘上的电压。
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