[发明专利]半导体器件、多芯片封装体以及利用半导体器件的半导体系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

错误检测单元，所述错误检测单元适用于接收数据和循环冗余校验CRC码，并且适用于通过检测所述数据的传输错误来输出检测信号，其中所述检测信号是用于检测数据传输中发生的错误的信号；以及

信号改变单元，所述信号改变单元适用于：基于所述检测信号来产生错误信息，同时基于所述数据的信号传输环境来改变所述错误信息的脉冲宽度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述信号改变单元包括：

脉冲发生单元，所述脉冲发生单元适用于响应于所述检测信号而产生具有预定的脉冲宽度的所述错误信息；以及

控制信号发生单元，所述控制信号发生单元适用于基于所述信号传输环境来控制所述错误信息的所述脉冲宽度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述信号传输环境包括：工艺、电压以及温度。

4.一种半导体系统，包括：

多个半导体器件，所述半导体器件适用于接收数据和与所述数据相对应的循环冗余校验CRC码、检测所述数据的传输错误、以及基于用于检测数据传输中发生的错误的检测信号来产生错误信息；

控制器，所述控制器适用于将所述数据和所述CRC码提供给所述半导体器件、经由公共传输线来接收所述错误信息、以及重新传送所述数据；以及

负载值检测单元，所述负载值检测单元适用于检测所述公共传输线的负载值、并且产生控制信号，

其中，每个所述半导体器件响应于所述控制信号而改变所述错误信息的脉冲宽度。

5.如权利要求4所述的半导体系统，其中，每个所述半导体器件包括：

错误检测单元，所述错误检测单元适用于接收所述数据和所述CRC码、并且通过检测所述数据的所述传输错误来输出检测信号；以及

脉冲发生单元，所述脉冲发生单元适用于：基于所述检测信号来产生所述错误信息，同时响应于所述控制信号而改变所述错误信息的脉冲宽度。

6.如权利要求5所述的半导体系统，其中，所述错误信息是脉冲信号。

7.如权利要求6所述的半导体系统，其中，所述脉冲发生单元响应于所述控制信号而调整所述错误信息的脉冲宽度。

8.如权利要求7所述的半导体系统，其中，当所述公共传输线的负载值比预定的负载值大时，所述错误信息的所述脉冲宽度被加宽到超过预定的脉冲宽度。

9.如权利要求4所述的半导体系统，与每个所述半导体器件相对应的所述错误信息经由所述公共传输线被顺序传送。

10.一种多芯片封装体，其具有与穿硅通孔TSV耦接的多个半导体芯片，每个所述半导体芯片包括：

错误检测单元，所述错误检测单元适用于接收数据和循环冗余校验CRC码，并且适用于通过检测所述数据的传输错误来输出检测信号，其中所述检测信号是用于检测数据传输中发生的错误的信号；

芯片识别ID发生单元，所述芯片识别ID发生单元适用于产生与各半导体芯片相对应的芯片ID；

芯片ID比较单元，所述芯片ID比较单元适用于通过将预定的芯片ID与由所述芯片ID发生单元产生的所述芯片ID进行比较来产生控制信号；以及

脉冲发生单元，所述脉冲发生单元适用于：基于所述检测信号来产生错误信息，同时响应于所述控制信号而基于所述数据的信号传输环境来改变所述错误信息的脉冲宽度。

11.如权利要求10所述的多芯片封装体，其中，所述半导体芯片的所述芯片ID的数目与所述半导体芯片的数目相对应，并且预设所述预定的芯片ID而与所述半导体芯片的数目无关。

12.如权利要求10所述的多芯片封装体，其中，所述错误信息经由第一穿硅通孔TSV来传送。

13.如权利要求10所述的多芯片封装体，其中，所述错误信息是脉冲信号。